Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K

Autores
Sambuco Salomone, Lucas; Carbonetto, Sebastián; García Inza, Mariano; Lipovetzky, José; Redín, Eduardo Gabriel; Campabadal, Francesca; Faigón, Adrián
Año de publicación
2011
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
documento de conferencia
Estado
versión publicada
Descripción
Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura.
Sección: Microelectrónica
Centro de Técnicas Analógico-Digitales
Materia
Ingeniería
MOS devices
High-K gate dielectrics
Electron traps
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Repositorio
SEDICI (UNLP)
Institución
Universidad Nacional de La Plata
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