Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors

• Autores: Lombardi, R. M.; Aragon, Ricardo
• Año de publicación: 2006
• Idioma: inglés
• Tipo de recurso: artículo
• Materia: MOS device; Mo gate; Hydrogen sensitivity
• Institución: Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas

Mo gate MOS capacitors exhibit a negative shift of their C-V characteristic by up to 240 mV, at 125°C, in response to 1000 ppm hydrogen, in controlled nitrogen atmospheres. The experimental methods for obtaining capacitance and conductance, as a function of polarisation voltage, as well as the relevant equivalent circuits are reviewed. The single-state interface state density, at the semiconductor-dielectric interface, decreases from 2.66 1011 cm-2e-v-1, in pure nitrogen, to 2.5 1011cm-2e-v-1 in 1000 ppm hydrogen in nitrogen mixtures, at this temperature.
Capacitores MOS con compuertas de Mo exhiben un corrimiento negativo de la característica C-V, de 240mV a 125°C, en respuesta a 1000 ppm de hidrógeno, en atmósfera controlada de nitrógeno. Se resumen los métodos experimentales para obtener capacitancia y conductancia, como función de la tensión de polarización, así como los circuitos equivalentes relevantes. La densidad de estados de interface de nivel único, en la interface dieléctrico-semiconductor, decrece desde 2.66 1011 cm-2e-v-1, en nitrógeno puro, hasta 2.5 1011cm-2 e-v-1 en 1000 ppm de mezcla de hidrógeno en nitrógeno a esta temperatura.
Fil: Lombardi, R. M.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina
Fil: Aragon, Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. GP. CITEFA - Centro de Investigaciones Toxicológicas (I); Argentina