Crystalline Quality of CdSe Single Crystalline Commercial Wafer
- Autores
- Núñez García, Javier Luis Mariano; D'Elía, R.; Heredia, Eduardo Armando; Geraci, A.; Tolley, Alfredo Juan; Di Stefano, M.C.; Cabanillas, Edgardo Domingo; Martínez, A. M.; Trigubo, Alicia Beatriz
- Año de publicación
- 2015
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Cadmium selenide is II-VI semiconductor compound with 1.67 eV energy gap (≈ 300 K) and high stopping power for nuclear radiation. Its crystalline structure is hexagonal (wurtzite) and it is used in solar cells, transistors, light emitting diodes, electroluminescent devices, nuclear radiation detectors at room temperature and nonlinear optical devices. It is also employed as substrate for epitaxial growth of HgCdSe. Qualities of devices are critically dependent on their material properties. Crystalline characterization of a CdSe commercial wafer was our main goal. The crystalline quality was evaluated by different techniques. Since it is used as an optical window in the IR spectrum, its optical transmittance was measured by FTIR. The etch pits distribution was determined by chemical etching. Dislocation density was obtained by counting on optical micrographs meanwhile misorientation between adjacent subgrains by means of Shockley - Read approximation. The reliability of the techniques used in determining the crystalline quality was evaluated. The etching solution was sensitive in linear defects detection and crystalline quality was adequate for devices manufacture of this material. Transmission electron microscopy employment confirmed these result.
Fil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: D'Elía, R.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Geraci, A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
Fil: Tolley, Alfredo Juan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Patagonia Norte; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
Fil: Di Stefano, M.C.. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Cabanillas, Edgardo Domingo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Instituto Sabato; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Martínez, A. M.. Provincia de Misiones. Comité de Desarrollo e Innovación Tecnológica. Centro de Desarrollo e Innovación Tecnológica; Argentina
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina - Materia
-
CdSe
Semiconductor
Detectors
Nuclear
Fourier Transform Infrared Spectroscopy
Chemical Etching
TEM - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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