Chemical Etching and TEM Crystalline Quality Assessment of Single Crystalline ZnSe Ingots Grown by I2 Vapor Phase Transport

Autores
D'elia, Raul Luis; Aguirre, Myriam H.; Heredia, Eduardo Armando; Di Stefano, María Cristina; Martínez, Ana M.; Tolley, Alfredo Juan; Núñez García, Javier Luis Mariano; Geraci, Adriano Esteban; Cabanillas, Edgardo Domingo; Canepa, Horacio Ricardo; Trigubo, Alicia Beatriz
Año de publicación
2015
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Crystalline defects were studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. Transmission electronic microscopy determined an excellent structural order in the micrometric and nanometric range. Larger material areas were studied by chemical etching using different reagents to determine average dislocations density and average adjacent subgrains misorientation. Comparable micrographic results of different reagents are shown. Characterization values of ZnSe commercial substrate grown by High Pressure Bridgman (HPB) have been compared to those that correspond to our grown material wafers. Characterization proved that the semiconductor crystalline quality in our wafers is appropriate for optical devices.
Fil: D'elia, Raul Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Aguirre, Myriam H.. Universidad de Zaragoza; España
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Martínez, Ana M.. Universidad Nacional de Misiones; Argentina
Fil: Tolley, Alfredo Juan. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina
Fil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Geraci, Adriano Esteban. Comisión Nacional de Energía Atómica. Fundación José A. Balseiro; Argentina
Fil: Cabanillas, Edgardo Domingo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Materia
Single Crystalline Znse
Ii-Vi Semiconductors
(I2) Chemical Transport
Chemical Etching
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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