Estudio AB-Initio de las Propiedades Estructurales, Elásticas y Piezoeléctricas del Compuesto CdSe

Autores
Gonzalez Lemus, Nasly Vanessa; Albanesi, Eduardo Aldo
Año de publicación
2012
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En el presente trabajo presentamos un estudio teórico de la estructura electrónica, propiedades ópticas, elásticas y piezoeléctricas del semiconductor con estructura wurtzita CdSe, obtenidas mediante cálculos ab-initio empleando el método de ondas planas y pseudopotenciales dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT), utilizando la aproximación de gradiente generalizado(GGA). los cálculos basados en DFT suelen despreciar el valor del gap de energía en muchos sistemas, para corregir este efecto se introdujo la corrección GW en el marco de la teoría de perturbación de muchos cuerpos, a partir de esto calculamos el modulo de bulk ajustando valores de energía y volumen mediante la implementación de la ecuación de Birch-Murnaghan, por ultimo mediante las teorías de Voigt y Reuss, estimamos el módulo de elasticidad transversal, el módulo de Young, el coeficiente de Poisson y la corrección anisotrópica del módulo de Bulk.
Fil: Gonzalez Lemus, Nasly Vanessa. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química; Argentina
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Materia
CdSe
Propiedades elasticas y piezoelectricas
DFT
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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