Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT

Autores
D'Elía, Raúl Luis; Aguirre Myriam Haydee; Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Martínez, Ana María; Canepa, Horacio Ricardo; Núñez García, Javier Luis Mariano; Trigubo, Alicia Beatriz
Año de publicación
2020
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
CdSe is II-VI semiconductor with compact hexagonal structure. It has a band gap of 1.82 eV and a high stopping power for nuclear radiation. Single crystalline CdSe ingots were grown by Physical Vapor Transport (PVT) employing a horizontal reactor. As devices critically depend on material properties its single crystalline quality was determined by chemical etching and transmission electron microscopy. Results were compared to those corresponding to Bridgman High Pressure (HPB) grown material and also to PVT material grown in a vertical reactor.
O CdSe é um semicondutor II-VI com estrutura hexagonal compacta. Tem uma banda proibida de 1,82 eV e um alto poder de freamento de radiação nuclear. Os monocristais de CdSe foram crescidos por transporte físico de vapor (PVT), empregando um reator horizontal. Como os dispositivos dependem criticamente das propriedades do material, sua qualidade cristalina foi determinada por ataque químico e microscopia eletrônica de transmissão. Os resultados foram comparados com aqueles correspondentes ao material crescido pelo método Bridgman vertical de alta pressão (HPB) e também com o material PVT crescido em um reator vertical.
Fil: D'Elía, Raúl Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Aguirre Myriam Haydee. Universidad de Zaragoza. Facultad de Ciencias. Departamento de Física de la Materia Condensada; España
Fil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Martínez, Ana María. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Materia
CHEMICAL ETCHING
HPB
OPTICAL MICROSCOPY
PVT
SINGLE CRYSTALLINE CDSE INGOTS
TRANSMISSION AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/117418
Acceder
id CONICETDig_17b38b2d7d86e8262c7b68cf4608c71f
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/117418
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVTD'Elía, Raúl LuisAguirre Myriam HaydeeDi Stefano, María CristinaHeredia, Eduardo ArmandoMartínez, Ana MaríaCanepa, Horacio RicardoNúñez García, Javier Luis MarianoTrigubo, Alicia BeatrizCHEMICAL ETCHINGHPBOPTICAL MICROSCOPYPVTSINGLE CRYSTALLINE CDSE INGOTSTRANSMISSION AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPYhttps://purl.org/becyt/ford/2.5https://purl.org/becyt/ford/2CdSe is II-VI semiconductor with compact hexagonal structure. It has a band gap of 1.82 eV and a high stopping power for nuclear radiation. Single crystalline CdSe ingots were grown by Physical Vapor Transport (PVT) employing a horizontal reactor. As devices critically depend on material properties its single crystalline quality was determined by chemical etching and transmission electron microscopy. Results were compared to those corresponding to Bridgman High Pressure (HPB) grown material and also to PVT material grown in a vertical reactor.O CdSe é um semicondutor II-VI com estrutura hexagonal compacta. Tem uma banda proibida de 1,82 eV e um alto poder de freamento de radiação nuclear. Os monocristais de CdSe foram crescidos por transporte físico de vapor (PVT), empregando um reator horizontal. Como os dispositivos dependem criticamente das propriedades do material, sua qualidade cristalina foi determinada por ataque químico e microscopia eletrônica de transmissão. Os resultados foram comparados com aqueles correspondentes ao material crescido pelo método Bridgman vertical de alta pressão (HPB) e também com o material PVT crescido em um reator vertical.Fil: D'Elía, Raúl Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; ArgentinaFil: Aguirre Myriam Haydee. Universidad de Zaragoza. Facultad de Ciencias. Departamento de Física de la Materia Condensada; EspañaFil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; ArgentinaFil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; ArgentinaFil: Martínez, Ana María. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; ArgentinaFil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; ArgentinaFil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; ArgentinaFil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; ArgentinaUniversidade Federal do Rio de Janeiro2020-04info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/117418D'Elía, Raúl Luis; Aguirre Myriam Haydee; Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Martínez, Ana María; et al.; Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT; Universidade Federal do Rio de Janeiro; Matéria; 25; 1; 4-2020; 1-101517-7076CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1590/s1517-707620200001.0911info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762020000100339&tlng=eninfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-03T09:43:31Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/117418instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-03 09:43:31.879CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
title Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
spellingShingle Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
D'Elía, Raúl Luis
CHEMICAL ETCHING
HPB
OPTICAL MICROSCOPY
PVT
SINGLE CRYSTALLINE CDSE INGOTS
TRANSMISSION AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
title_short Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
title_full Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
title_fullStr Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
title_full_unstemmed Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
title_sort Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT
dc.creator.none.fl_str_mv D'Elía, Raúl Luis
Aguirre Myriam Haydee
Di Stefano, María Cristina
Heredia, Eduardo Armando
Martínez, Ana María
Canepa, Horacio Ricardo
Núñez García, Javier Luis Mariano
Trigubo, Alicia Beatriz
author D'Elía, Raúl Luis
author_facet D'Elía, Raúl Luis
Aguirre Myriam Haydee
Di Stefano, María Cristina
Heredia, Eduardo Armando
Martínez, Ana María
Canepa, Horacio Ricardo
Núñez García, Javier Luis Mariano
Trigubo, Alicia Beatriz
author_role author
author2 Aguirre Myriam Haydee
Di Stefano, María Cristina
Heredia, Eduardo Armando
Martínez, Ana María
Canepa, Horacio Ricardo
Núñez García, Javier Luis Mariano
Trigubo, Alicia Beatriz
author2_role author
author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv CHEMICAL ETCHING
HPB
OPTICAL MICROSCOPY
PVT
SINGLE CRYSTALLINE CDSE INGOTS
TRANSMISSION AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
topic CHEMICAL ETCHING
HPB
OPTICAL MICROSCOPY
PVT
SINGLE CRYSTALLINE CDSE INGOTS
TRANSMISSION AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/2.5
https://purl.org/becyt/ford/2
dc.description.none.fl_txt_mv CdSe is II-VI semiconductor with compact hexagonal structure. It has a band gap of 1.82 eV and a high stopping power for nuclear radiation. Single crystalline CdSe ingots were grown by Physical Vapor Transport (PVT) employing a horizontal reactor. As devices critically depend on material properties its single crystalline quality was determined by chemical etching and transmission electron microscopy. Results were compared to those corresponding to Bridgman High Pressure (HPB) grown material and also to PVT material grown in a vertical reactor.
O CdSe é um semicondutor II-VI com estrutura hexagonal compacta. Tem uma banda proibida de 1,82 eV e um alto poder de freamento de radiação nuclear. Os monocristais de CdSe foram crescidos por transporte físico de vapor (PVT), empregando um reator horizontal. Como os dispositivos dependem criticamente das propriedades do material, sua qualidade cristalina foi determinada por ataque químico e microscopia eletrônica de transmissão. Os resultados foram comparados com aqueles correspondentes ao material crescido pelo método Bridgman vertical de alta pressão (HPB) e também com o material PVT crescido em um reator vertical.
Fil: D'Elía, Raúl Luis. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Aguirre Myriam Haydee. Universidad de Zaragoza. Facultad de Ciencias. Departamento de Física de la Materia Condensada; España
Fil: Di Stefano, María Cristina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Heredia, Eduardo Armando. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Martínez, Ana María. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Canepa, Horacio Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina
Fil: Núñez García, Javier Luis Mariano. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
Fil: Trigubo, Alicia Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Ministerio de Defensa. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
description CdSe is II-VI semiconductor with compact hexagonal structure. It has a band gap of 1.82 eV and a high stopping power for nuclear radiation. Single crystalline CdSe ingots were grown by Physical Vapor Transport (PVT) employing a horizontal reactor. As devices critically depend on material properties its single crystalline quality was determined by chemical etching and transmission electron microscopy. Results were compared to those corresponding to Bridgman High Pressure (HPB) grown material and also to PVT material grown in a vertical reactor.
publishDate 2020
dc.date.none.fl_str_mv 2020-04
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/117418
D'Elía, Raúl Luis; Aguirre Myriam Haydee; Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Martínez, Ana María; et al.; Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT; Universidade Federal do Rio de Janeiro; Matéria; 25; 1; 4-2020; 1-10
1517-7076
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/117418
identifier_str_mv D'Elía, Raúl Luis; Aguirre Myriam Haydee; Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Martínez, Ana María; et al.; Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT; Universidade Federal do Rio de Janeiro; Matéria; 25; 1; 4-2020; 1-10
1517-7076
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1590/s1517-707620200001.0911
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762020000100339&tlng=en
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal do Rio de Janeiro
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal do Rio de Janeiro
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1842268607662260224
score 13.13397

Publicaciones similares