Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer

Autores
Lerner, Betiana; Perez, Maximiliano Sebastian; Toro Salazar, Cinthya Emma; Lasorsa, Carlos Alberto; Rinaldi, Carlos Alberto; Boselli, Alfredo; Lamagna, Alberto
Año de publicación
2012
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Througout this investigation, experiments on laser ablation with silicon (Si) wafers have been performed using silicon nitride (Si3N4) as a sacrificial layer to find the optimal fluence capable of removing the Si3N4, which allows the subsequent anisotropic etching in Si with potassium hydroxide. As a result, an alternative to the traditional micromachining techniques that require more steps and processing times has been introduced. The effect of the pulse numbers on Si wafers has been studied and it has been observed that when increasing the pulse numbers at the same fluence, the capacity of the pyramidal cavity formed was greater than using only one pulse at higher fluences. Microcavities were performed with a floating Si3N4 layer. This happens to be very useful for the development of drug delivery systems and the manufacture of microarrays. Microcavities were also used as masters for the fabrication of microionizers in polydimethyl siloxane (PDMS).
Fil: Lerner, Betiana. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Perez, Maximiliano Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Lasorsa, Carlos Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Rinaldi, Carlos Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Boselli, Alfredo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Materia
Laser ablation
Silicon wet etching
Si3N4 sacrificial layer
Microcavities
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/269317

id CONICETDig_63cb3bc4dfdff1e27b6f638471e96d07
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/269317
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layerLerner, BetianaPerez, Maximiliano SebastianToro Salazar, Cinthya EmmaLasorsa, Carlos AlbertoRinaldi, Carlos AlbertoBoselli, AlfredoLamagna, AlbertoLaser ablationSilicon wet etchingSi3N4 sacrificial layerMicrocavitieshttps://purl.org/becyt/ford/1.4https://purl.org/becyt/ford/1Througout this investigation, experiments on laser ablation with silicon (Si) wafers have been performed using silicon nitride (Si3N4) as a sacrificial layer to find the optimal fluence capable of removing the Si3N4, which allows the subsequent anisotropic etching in Si with potassium hydroxide. As a result, an alternative to the traditional micromachining techniques that require more steps and processing times has been introduced. The effect of the pulse numbers on Si wafers has been studied and it has been observed that when increasing the pulse numbers at the same fluence, the capacity of the pyramidal cavity formed was greater than using only one pulse at higher fluences. Microcavities were performed with a floating Si3N4 layer. This happens to be very useful for the development of drug delivery systems and the manufacture of microarrays. Microcavities were also used as masters for the fabrication of microionizers in polydimethyl siloxane (PDMS).Fil: Lerner, Betiana. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Perez, Maximiliano Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; ArgentinaFil: Lasorsa, Carlos Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; ArgentinaFil: Rinaldi, Carlos Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; ArgentinaFil: Boselli, Alfredo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; ArgentinaFil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; ArgentinaElsevier Science2012-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/269317Lerner, Betiana; Perez, Maximiliano Sebastian; Toro Salazar, Cinthya Emma; Lasorsa, Carlos Alberto; Rinaldi, Carlos Alberto; et al.; Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer; Elsevier Science; Applied Surface Science; 258; 7; 1-2012; 2914-29190169-4332CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433211017466info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.apsusc.2011.11.007info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-03T10:00:31Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/269317instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-03 10:00:31.258CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
title Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
spellingShingle Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
Lerner, Betiana
Laser ablation
Silicon wet etching
Si3N4 sacrificial layer
Microcavities
title_short Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
title_full Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
title_fullStr Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
title_full_unstemmed Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
title_sort Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer
dc.creator.none.fl_str_mv Lerner, Betiana
Perez, Maximiliano Sebastian
Toro Salazar, Cinthya Emma
Lasorsa, Carlos Alberto
Rinaldi, Carlos Alberto
Boselli, Alfredo
Lamagna, Alberto
author Lerner, Betiana
author_facet Lerner, Betiana
Perez, Maximiliano Sebastian
Toro Salazar, Cinthya Emma
Lasorsa, Carlos Alberto
Rinaldi, Carlos Alberto
Boselli, Alfredo
Lamagna, Alberto
author_role author
author2 Perez, Maximiliano Sebastian
Toro Salazar, Cinthya Emma
Lasorsa, Carlos Alberto
Rinaldi, Carlos Alberto
Boselli, Alfredo
Lamagna, Alberto
author2_role author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Laser ablation
Silicon wet etching
Si3N4 sacrificial layer
Microcavities
topic Laser ablation
Silicon wet etching
Si3N4 sacrificial layer
Microcavities
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.4
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv Througout this investigation, experiments on laser ablation with silicon (Si) wafers have been performed using silicon nitride (Si3N4) as a sacrificial layer to find the optimal fluence capable of removing the Si3N4, which allows the subsequent anisotropic etching in Si with potassium hydroxide. As a result, an alternative to the traditional micromachining techniques that require more steps and processing times has been introduced. The effect of the pulse numbers on Si wafers has been studied and it has been observed that when increasing the pulse numbers at the same fluence, the capacity of the pyramidal cavity formed was greater than using only one pulse at higher fluences. Microcavities were performed with a floating Si3N4 layer. This happens to be very useful for the development of drug delivery systems and the manufacture of microarrays. Microcavities were also used as masters for the fabrication of microionizers in polydimethyl siloxane (PDMS).
Fil: Lerner, Betiana. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Perez, Maximiliano Sebastian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Lasorsa, Carlos Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Rinaldi, Carlos Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Boselli, Alfredo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
Fil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia Física (Centro Atómico Constituyentes). Proyecto Tandar; Argentina
description Througout this investigation, experiments on laser ablation with silicon (Si) wafers have been performed using silicon nitride (Si3N4) as a sacrificial layer to find the optimal fluence capable of removing the Si3N4, which allows the subsequent anisotropic etching in Si with potassium hydroxide. As a result, an alternative to the traditional micromachining techniques that require more steps and processing times has been introduced. The effect of the pulse numbers on Si wafers has been studied and it has been observed that when increasing the pulse numbers at the same fluence, the capacity of the pyramidal cavity formed was greater than using only one pulse at higher fluences. Microcavities were performed with a floating Si3N4 layer. This happens to be very useful for the development of drug delivery systems and the manufacture of microarrays. Microcavities were also used as masters for the fabrication of microionizers in polydimethyl siloxane (PDMS).
publishDate 2012
dc.date.none.fl_str_mv 2012-01
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/269317
Lerner, Betiana; Perez, Maximiliano Sebastian; Toro Salazar, Cinthya Emma; Lasorsa, Carlos Alberto; Rinaldi, Carlos Alberto; et al.; Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer; Elsevier Science; Applied Surface Science; 258; 7; 1-2012; 2914-2919
0169-4332
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/269317
identifier_str_mv Lerner, Betiana; Perez, Maximiliano Sebastian; Toro Salazar, Cinthya Emma; Lasorsa, Carlos Alberto; Rinaldi, Carlos Alberto; et al.; Generation of cavities in silicon wafers by laser ablation using silicon nitride as sacrificial layer; Elsevier Science; Applied Surface Science; 258; 7; 1-2012; 2914-2919
0169-4332
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433211017466
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.apsusc.2011.11.007
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Elsevier Science
publisher.none.fl_str_mv Elsevier Science
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1842269642556440576
score 13.13397