Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma

Autores
Lombardi, Rina Marta Ana; Palumbo, Félix; Redin, Eduardo Gabriel; Rus, Daniel; Faigón, Adrián Néstor
Año de publicación
2000
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión, y corriente tensión en transitores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las mediciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de “midgap
In these investigation we (search) studied shits on typical electrical measurements on MOS (like capacity and current) devices which were irradiated with gamma source of 60Co The analysis on measurements was related to creation of fixed charge and surfaces states at Si/SiO₂, then the contribution of each effect was specified to reproduce the experiment. Moreover, we used midgap method to comparative measurements
Fil: Lombardi, Rina Marta Ana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Palumbo, Félix. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Rus, Daniel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2000;01(12):283-286
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v12_n01_p283
Acceder
id BDUBAFCEN_e7b768d33bd4e1d60c0e1c74c8298bcc
oai_identifier_str afa:afa_v12_n01_p283
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gammaLombardi, Rina Marta AnaPalumbo, FélixRedin, Eduardo GabrielRus, DanielFaigón, Adrián NéstorSe han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión, y corriente tensión en transitores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las mediciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de “midgapIn these investigation we (search) studied shits on typical electrical measurements on MOS (like capacity and current) devices which were irradiated with gamma source of 60Co The analysis on measurements was related to creation of fixed charge and surfaces states at Si/SiO₂, then the contribution of each effect was specified to reproduce the experiment. Moreover, we used midgap method to comparative measurementsFil: Lombardi, Rina Marta Ana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. ArgentinaFil: Palumbo, Félix. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. ArgentinaFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. ArgentinaFil: Rus, Daniel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. ArgentinaFil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. ArgentinaAsociación Física Argentina2000info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p283An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2000;01(12):283-286reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-23T11:15:54Zafa:afa_v12_n01_p283Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-23 11:15:54.999Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
title Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
spellingShingle Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
Lombardi, Rina Marta Ana
title_short Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
title_full Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
title_fullStr Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
title_full_unstemmed Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
title_sort Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
dc.creator.none.fl_str_mv Lombardi, Rina Marta Ana
Palumbo, Félix
Redin, Eduardo Gabriel
Rus, Daniel
Faigón, Adrián Néstor
author Lombardi, Rina Marta Ana
author_facet Lombardi, Rina Marta Ana
Palumbo, Félix
Redin, Eduardo Gabriel
Rus, Daniel
Faigón, Adrián Néstor
author_role author
author2 Palumbo, Félix
Redin, Eduardo Gabriel
Rus, Daniel
Faigón, Adrián Néstor
author2_role author
author
author
author
dc.description.none.fl_txt_mv Se han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión, y corriente tensión en transitores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las mediciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de “midgap
In these investigation we (search) studied shits on typical electrical measurements on MOS (like capacity and current) devices which were irradiated with gamma source of 60Co The analysis on measurements was related to creation of fixed charge and surfaces states at Si/SiO₂, then the contribution of each effect was specified to reproduce the experiment. Moreover, we used midgap method to comparative measurements
Fil: Lombardi, Rina Marta Ana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Palumbo, Félix. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Rus, Daniel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina
description Se han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión, y corriente tensión en transitores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las mediciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de “midgap
publishDate 2000
dc.date.none.fl_str_mv 2000
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p283
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p283
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2000;01(12):283-286
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846784830722801664
score 12.982451

Publicaciones similares