Modelización de efectos de radiación en estructuras MOS : trampas de interfaz

Autores
Gomes, Eugenia Noel
Año de publicación
2022
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
tesis de grado
Estado
versión publicada
Colaborador/a o director/a de tesis
Sambuco Salomone, Lucas
Faigón, Adrián Néstor
Descripción
Los estudios sobre la estructura MOS han conducido en las últimas décadas a un gran avance tecnológico con un gran impacto en la calidad de vida del ser humano. La estructura MOS es la base de los transistores modernos, dispositivos electrónicos que son los componentes principales de los circuitos integrados que se utilizan hoy en día, desde las computadoras más simples hasta los sistemas de comunicación mas complejos. Un aspecto importante que se estudia actualmente sobre la estructura MOS es cómo responde si se encuentra expuesta a radiación ionizante. La radiación modifica las características eléctricas de los dispositivos MOS. Parte del interés que motiva este tipo de estudios es la utilización de transistores en el espacio exterior, y la utilización de dispositivos MOS como dosímetros de radiación. En este último caso, el estudio de la estructura MOS expuesta a radiación tiene un efecto importante en lo que respecta a la tecnología de la salud. El objetivo del presente trabajo es estudiar los efectos de la radiación ionizante en la estructura MOS. Se presenta un panorama general de los procesos que se desencadenan en la estructura cuando incide radiación sobre la misma, pero a la vez se presta especial detalle a algunos de ellos. Teniendo en cuenta estos procesos se utiliza y modifica un modelo teórico computacional con el cual se pueden obtener las características microscópicas y macroscópicas de un sistema MOS expuesto a distintas condiciones de radiación. Parte del trabajo consiste en evaluar la relevancia de los fenómenos considerados y la utilidad del programa desarrollado. En particular, el estudio realizado en esta tesis tiene como centro el fenómeno de las trampas de interfaz, las cuales se generan durante la radiación y modifican drásticamente las características eléctricas del dispositivo MOS. La presencia de trampas de interfaz es más notable cuando transcurre un tiempo tras la irradiación de la estructura MOS. Esto se ve en numerosos artículos científicos. Las mediciones de las curvas características IV realizadas sobre un FOXFET sugieren la generación de trampas de interfaz durante la radiación, por lo que se utilizan de referencia para evaluar la utilidad del modelo para reproducir este efecto.
Fil: Gomes, Eugenia Noel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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