Sensibilidad a H₂ de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno

Autores
Lombardi, Rina Marta Ana; Aragón, Roberto
Año de publicación
2003
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se caracterizó la respuesta eléctrica al hidrógeno gaseoso de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno. La sensibilidad del dispositivo se evaluó mediante características de capacidad-tensión en N₂ y en H₂ (1000 ppm en N₂) a temperaturas de 77 y 125 °C, a 220 kHz. A 125oC el corrimiento negativo de la tensión de banda plana es de 240 mV, con un estímulo de 1000 ppm de H₂ en N₂.
The electrical response of molybdenum gate MOS device to gaseous hydrogen was characterized. Device sensitivity, at 77°C and 125°C, was evaluated by shifts in the C-V characteristic, in controlled N₂ and 1000ppm H₂ in N₂ atmospheres, at 220 kHz. Capacitance changes, monitored as a function of time, at flat-band voltage (FBV), were used to evaluate the FBV negative shift transient (240mV) with 1000 ppm H₂ in N₂, at 125°C.
Fil: Lombardi, Rina Marta Ana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Laboratorio de Películas Delgadas. Buenos Aires. Argentina
Fil: Aragón, Roberto. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Laboratorio de Películas Delgadas. Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):182-184
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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