Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo iv mediante el modelo de keating anarmónico

Autores
Mroginski, M. A.; Casali, Ricardo Antonio; Caravaca, María de los Ángeles
Año de publicación
2021
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Fil: Mroginski, M. A. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina.
Fil: Casali, Ricardo Antonio. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura; Argentina.
Fil: Caravaca, María de los Ángeles. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ingeniería; Argentina.
Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx
Fuente
FACENA, 2003, vol. 19, p. 3-10.
Materia
Complejos atómicos
Estudio de estabilidad
Grupo IV
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/
Repositorio
Repositorio Institucional de la Universidad Nacional del Nordeste (UNNE)
Institución
Universidad Nacional del Nordeste
OAI Identificador
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