Estudio de las relajaciones alrededor de impurezas sustitucionales en semiconductores mediante el modelo anarmónico de Keating

Autores
Casali, Ricardo Antonio; Mroginski, María Andrea
Año de publicación
1997
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se presenta un estudio de las propiedades estáticas y dinámicas del Si semiconductor de estructura diamante cuando se dopa con impurezas sustitucionales del grupo IV. Se emplea para tal fin clusters de 71 a 281 átomos interactuando mediante constantes de fuerza de dos y tres cuerpos definidas en el modelo anarmónico de Keating. Con esta aproximación se presentan cálculos de las constantes de resorte de varios modos locales relevantes de vibración de la red cristalina. Se analizan las relajaciones radiales de las distintas capas que rodean al defecto y las variaciones de energía elástica experimentadas por la red inducida por la impureza.
Static and dynamic properties of Si have been studied when doped with substitutional impurities from group IV. Calculations were made using clusters of 71 to 281 atoms interacting with each other by means of two and three body force constants defined according to the anharmonic Keating model. With this approximation, elastic constants of several important local lattice vibrational modes were calculated. Radial relaxations of shells surrounding the defect and impurity induced elastic energy changes experimented by the crystal lattice were analized
Fil: Casali, Ricardo Antonio. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina
Fil: Mroginski, María Andrea. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas, Naturales y Agrimensura (UNNE-FACENA). Corrientes. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1997;01(09):156-163
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Acceder
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