Fully-Depleted SOI MOSFET Sensors in Accumulation Mode for Total Dose Measurement
- Autores
- Alcalde Bessia, F.; Flandre, D.; André, N.; Irazoqui, J.; Pérez, M.; Gómez Berisso, M.; Lipovetzky, J.
- Año de publicación
- 2018
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- documento de conferencia
- Estado
- versión aceptada
- Descripción
- Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Pérez, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Gómez Berisso, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Flandre, D. Université Catholique de Louvain; Bélgica
Fil: André, N. Université Catholique de Louvain; Bélgica
Fil: Irazoqui, J. Fundación Instituto de Tecnologías Nucleares para la Salud, Bariloche; Argentina - Materia
-
TRANSISTORES
EFECTOS DE LAS RADIACIONES
ACELERADORES LINEALES
Radiation dosimeter
SOI
Transistors
Sensitivity
Logic gates
Radiation effects
Threshold voltage
Voltage measurement
Annealing - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- Repositorio
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- Institución
- Comisión Nacional de Energía Atómica
- OAI Identificador
- oai:nuclea.cnea.gob.ar:20.500.12553/5469
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