Ultra Low Power Ionizing Dose Sensor Based on Complementary Fully Depleted MOS Transistors for Radiotherapy Application

Autores
Alcalde Bessia, F.; Flandre, D.; André, N.; Irazoqui, J.; Pérez, M.; Gómez Berisso, M.; Lipovetzky, J.
Año de publicación
2019
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión aceptada
Descripción
Fil: Alcalde Bessia, F. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Pérez, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina
Fil: Gómez Berisso, M. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Lipovetzky, J. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina; Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina; International Center for Theoretical Physics: I, Trieste; Italia
Fil: Flandre, D. Université Catholique de Louvain, Electrical Engineering Department; Bélgica
Fil: André, N. Université Catholique de Louvain, Electrical Engineering Department; Bélgica
Fil: Irazoqui, J. Fundación Instituto de Tecnologías Nucleares para la Salud, Bariloche; Argentina
Materia
RADIACIONES IONIZANTES
DETECTORES DE RADIACIONES
RADIOTERAPIA
Ionizing radiation sensors
Silicon on insulator (SOI)
Silicon radiation detectors
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
Repositorio
Nuclea (CNEA)
Institución
Comisión Nacional de Energía Atómica
OAI Identificador
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