Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter

Autores
García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor
Año de publicación
2014
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
This paper presents a differential MOSFET sensor reading technique based on the bias controlled cycled measurement. The circuit was implemented, and tested with gamma radiation from a 60-cobalt source. Temperature rejection performance was assessed during the exposure in real-time measurements. The results show that in comparison with a single MOSFET dosimeter the thermal drift is 20 times smaller and the radiation sensitivity is approximately 10% higher. The switched biasing allows to extend the measurement range beyond MOSFET's threshold voltage saturation.
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Materia
Mosfet
Dosimeter
Radiation
Sensor
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/32876
Acceder
id CONICETDig_9872283254b44ad66cf06b1e3e717c1d
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/32876
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Switched Bias Differential MOSFET DosimeterGarcía Inza, Mariano AndrésCarbonetto, Sebastián HoracioLipovetzky, JoséCarra, Martin JavierSambuco Salomone, Lucas IgnacioRedin, Eduardo GabrielFaigon, Adrián NéstorMosfetDosimeterRadiationSensorhttps://purl.org/becyt/ford/2.2https://purl.org/becyt/ford/2This paper presents a differential MOSFET sensor reading technique based on the bias controlled cycled measurement. The circuit was implemented, and tested with gamma radiation from a 60-cobalt source. Temperature rejection performance was assessed during the exposure in real-time measurements. The results show that in comparison with a single MOSFET dosimeter the thermal drift is 20 times smaller and the radiation sensitivity is approximately 10% higher. The switched biasing allows to extend the measurement range beyond MOSFET's threshold voltage saturation.Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaInstitute of Electrical and Electronics Engineers2014-06info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/32876Lipovetzky, José; Faigon, Adrián Néstor; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Carra, Martin Javier; et al.; Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 3; 6-2014; 1407-14130018-94991558-1578CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6819076/info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2014.2316337info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:44:14Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/32876instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:44:14.375CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
title Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
spellingShingle Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
García Inza, Mariano Andrés
Mosfet
Dosimeter
Radiation
Sensor
title_short Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
title_full Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
title_fullStr Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
title_full_unstemmed Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
title_sort Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter
dc.creator.none.fl_str_mv García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Carra, Martin Javier
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
author García Inza, Mariano Andrés
author_facet García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Carra, Martin Javier
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
author_role author
author2 Carbonetto, Sebastián Horacio
Lipovetzky, José
Carra, Martin Javier
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Redin, Eduardo Gabriel
Faigon, Adrián Néstor
author2_role author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Mosfet
Dosimeter
Radiation
Sensor
topic Mosfet
Dosimeter
Radiation
Sensor
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/2.2
https://purl.org/becyt/ford/2
dc.description.none.fl_txt_mv This paper presents a differential MOSFET sensor reading technique based on the bias controlled cycled measurement. The circuit was implemented, and tested with gamma radiation from a 60-cobalt source. Temperature rejection performance was assessed during the exposure in real-time measurements. The results show that in comparison with a single MOSFET dosimeter the thermal drift is 20 times smaller and the radiation sensitivity is approximately 10% higher. The switched biasing allows to extend the measurement range beyond MOSFET's threshold voltage saturation.
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
description This paper presents a differential MOSFET sensor reading technique based on the bias controlled cycled measurement. The circuit was implemented, and tested with gamma radiation from a 60-cobalt source. Temperature rejection performance was assessed during the exposure in real-time measurements. The results show that in comparison with a single MOSFET dosimeter the thermal drift is 20 times smaller and the radiation sensitivity is approximately 10% higher. The switched biasing allows to extend the measurement range beyond MOSFET's threshold voltage saturation.
publishDate 2014
dc.date.none.fl_str_mv 2014-06
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/32876
Lipovetzky, José; Faigon, Adrián Néstor; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Carra, Martin Javier; et al.; Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 3; 6-2014; 1407-1413
0018-9499
1558-1578
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/32876
identifier_str_mv Lipovetzky, José; Faigon, Adrián Néstor; Redin, Eduardo Gabriel; Carbonetto, Sebastián Horacio; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Carra, Martin Javier; et al.; Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 3; 6-2014; 1407-1413
0018-9499
1558-1578
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6819076/
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2014.2316337
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844614479480881152
score 13.070432

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