Aproximación de niveles de energía para deposición de superficies modificadas: un primer análisis
- Autores
- Pena Ausar, Joaquin Ezequiel; Pinto, Oscar Alejandro
- Año de publicación
- 2024
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- El presente trabajo tiene como principal objetivo presentar una nueva base teórica para describir el proceso de deposición en superficies de electrodos modificadas con impurezas, las cuales bloquean sitios de adsorción en dichas superficies. En el proceso de electrodeposición, una especie electroactiva es adsorbida en los sitios disponibles de la superficie y transfiere carga eléctrica. Presentamos la aproximación teórica de niveles de energía mediante la consideración de la distribución binomial y la isoterma estándar de Langmuir en el uso de la ecuación integral. Las isotermas de adsorción y la compresibilidad de la capa adsorbida obtenidas mediante la aproximación teórica fueron comparadas con las obtenidas mediante simulación de Monte Carlo (MC). Dicho estudio se realizó para diferentes energías de interacción lateral, a primeros vecinos, tanto atractivas como repulsivas, y para diferentes grados de ocupación de la red porparte de las impurezas.
The main objective of this work is to present a new theoretical basis to describe the deposition process on electrode surfaces modified with impurities, which block adsorption sites on said surfaces. In the electrodeposition process, an electroactive species is adsorbed on available sites on the surface and transfers electrical charge. We present the energy level approximation by considering the binomial distribution and the standard Langmuir isotherm in the use of the integral equation. The adsorption isotherms and the compressibility of the adsorbed layer obtained by the theoretical approach were compared with those obtained by Monte Carlo (MC) simulation. This study was carried out for different energies of lateral interaction, to first neighbors, both attractive and repulsive, and for different degrees of occupation of the lattice by impurities.
Fil: Pena Ausar, Joaquin Ezequiel. Universidad Nacional de Santiago del Estero. Instituto de Bionanotecnología del Noa. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Tucumán. Instituto de Bionanotecnología del Noa; Argentina
Fil: Pinto, Oscar Alejandro. Universidad Nacional de Santiago del Estero. Instituto de Bionanotecnología del Noa. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Tucumán. Instituto de Bionanotecnología del Noa; Argentina. Universidad Nacional de Santiago del Estero. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologías; Argentina - Materia
-
Mecánica estadistica
Electrodos modificados
Simulacion de monte carlo
Aproximacion teorica - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
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