Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon

Autores
Rubi, Diego; Tesler, Federico Ariel; Alposta, I.; Kalstein, Ariel; Ghenzi, Néstor; Gomez Marlasca, F.; Rozenberg, Marcelo Javier; Levy, Pablo Eduardo
Año de publicación
2013
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Bipolar resistive switching in low cost n-Si/La2/3Ca1/3MnO3/M (M¼TiþCu) devices was investigated. For low SET compliance currents (CC), an interfacial-related resistive switching mechanism, associated to the migration of oxygen vacancies close to the manganite/metal interface, is operative. Simulations using the voltage enhanced oxygen vacancies drift model validate our experimental results. When further increasing the CC, we have observed the onset of a second, filamentary, resistive switching regime with a concomitant collapse of the ON/OFF ratio. We finally demonstrate that it is possible to delay the onset of the filamentary regime by controlling the film thickness.
Fil: Rubi, Diego. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Tesler, Federico Ariel. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Alposta, I.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Rozenberg, Marcelo Javier. Universite Paris Sud; Francia. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Materia
Memory device
Memristor
Nanotechnology
ReRAM
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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