Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit

Autores
Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo; Sánchez, María José; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; Gomez Marlasca, F.; Zanini, A.; Toro Salazar, Cinthya Emma; Ghenzi, N.; Rozenberg, M. J.
Año de publicación
2014
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Leiva, A. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina
Fil: Albornoz, C.A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Zanini, A.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
Fil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Ghenzi, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Rozenberg, M. J.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
Materia
Multilevel Cell
Non-Volatile Memory
Resistive Switching
Reram
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/29485
Acceder
id CONICETDig_194244bfdec3451cf794160b934d2aa2
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/29485
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuitStoliar, Pablo AlbertoLevy, Pablo EduardoSánchez, María JoséLeiva, A. G.Albornoz, C.A.Gomez Marlasca, F.Zanini, A.Toro Salazar, Cinthya EmmaGhenzi, N.Rozenberg, M. J.Multilevel CellNon-Volatile MemoryResistive SwitchingReramhttps://purl.org/becyt/ford/2.2https://purl.org/becyt/ford/2We study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Leiva, A. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; ArgentinaFil: Albornoz, C.A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Zanini, A.. Universidad de Buenos Aires; ArgentinaFil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Ghenzi, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Rozenberg, M. J.. Universidad de Buenos Aires; ArgentinaInstitute of Electrical and Electronics Engineers2014-01-13info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/29485Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo; Sánchez, María José; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; et al.; Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions On Circuits And Systems Ii-analog And Digital Signal Processing; 61; 1; 13-1-2014; 21-251057-7130CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TCSII.2013.2290921info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6689338/?reload=trueinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:59:37Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/29485instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:59:37.881CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
title Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
spellingShingle Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
Stoliar, Pablo Alberto
Multilevel Cell
Non-Volatile Memory
Resistive Switching
Reram
title_short Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
title_full Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
title_fullStr Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
title_full_unstemmed Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
title_sort Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
dc.creator.none.fl_str_mv Stoliar, Pablo Alberto
Levy, Pablo Eduardo
Sánchez, María José
Leiva, A. G.
Albornoz, C.A.
Gomez Marlasca, F.
Zanini, A.
Toro Salazar, Cinthya Emma
Ghenzi, N.
Rozenberg, M. J.
author Stoliar, Pablo Alberto
author_facet Stoliar, Pablo Alberto
Levy, Pablo Eduardo
Sánchez, María José
Leiva, A. G.
Albornoz, C.A.
Gomez Marlasca, F.
Zanini, A.
Toro Salazar, Cinthya Emma
Ghenzi, N.
Rozenberg, M. J.
author_role author
author2 Levy, Pablo Eduardo
Sánchez, María José
Leiva, A. G.
Albornoz, C.A.
Gomez Marlasca, F.
Zanini, A.
Toro Salazar, Cinthya Emma
Ghenzi, N.
Rozenberg, M. J.
author2_role author
author
author
author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Multilevel Cell
Non-Volatile Memory
Resistive Switching
Reram
topic Multilevel Cell
Non-Volatile Memory
Resistive Switching
Reram
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/2.2
https://purl.org/becyt/ford/2
dc.description.none.fl_txt_mv We study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Leiva, A. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina
Fil: Albornoz, C.A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Zanini, A.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
Fil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Ghenzi, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina
Fil: Rozenberg, M. J.. Universidad de Buenos Aires; Argentina
description We study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .
publishDate 2014
dc.date.none.fl_str_mv 2014-01-13
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/29485
Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo; Sánchez, María José; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; et al.; Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions On Circuits And Systems Ii-analog And Digital Signal Processing; 61; 1; 13-1-2014; 21-25
1057-7130
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/29485
identifier_str_mv Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo; Sánchez, María José; Leiva, A. G.; Albornoz, C.A.; et al.; Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions On Circuits And Systems Ii-analog And Digital Signal Processing; 61; 1; 13-1-2014; 21-25
1057-7130
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TCSII.2013.2290921
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6689338/?reload=true
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844613767466319872
score 13.070432

Publicaciones similares