Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness
- Autores
- Rubi, Diego; Kalstein, Ariel; Roman Acevedo, Wilson Stibens; Ghenzi, Néstor; Quinteros, Cynthia Paula; Mangano, E.; Granell, Pablo Nicolás; Golmar, Federico; Marlasca, F. G.; Suarez, Sergio Gabriel; Bernardi, Guillermo Carlos; Albornoz, C.; Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela; Levy, Pablo Eduardo
- Año de publicación
- 2015
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We report on the fabrication and characterization of La2/3Ca1/3MnO3 manganite-based memristive devices. Polycrystalline manganite thin films were grown by Pulsed Laser Deposition, while metallic electrodes were deposited by sputtering. We show that, depending on the polarity of the initial electroforming, both clockwise and anti-clockwise current-voltage curves can be obtained. We attribute this behavior to the coexistence of different resistive switchingmechanisms.We finally evaluate the electrical behavior of our devices after irradiation with high energy oxygen ions. We find no significant difference in the dielectric breakdown voltages between irradiated and non-irradiated devices, indicating that they may present radiation hardness and could be therefore appropriate for space or nuclear applications.
Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Roman Acevedo, Wilson Stibens. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Quinteros, Cynthia Paula. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Mangano, E.. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina
Fil: Granell, Pablo Nicolás. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina
Fil: Golmar, Federico. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina
Fil: Marlasca, F. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Suarez, Sergio Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Bernardi, Guillermo Carlos. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Albornoz, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina - Materia
-
Oxide Thin Films
Radiation Hardness
Resistive Random Access Memory - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/38388
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_bb25438379ca4e9a4e151178da2d60f3 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/38388 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardnessRubi, DiegoKalstein, ArielRoman Acevedo, Wilson StibensGhenzi, NéstorQuinteros, Cynthia PaulaMangano, E.Granell, Pablo NicolásGolmar, FedericoMarlasca, F. G.Suarez, Sergio GabrielBernardi, Guillermo CarlosAlbornoz, C.Leyva de Guglielmino, Ana GabrielaLevy, Pablo EduardoOxide Thin FilmsRadiation HardnessResistive Random Access Memoryhttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We report on the fabrication and characterization of La2/3Ca1/3MnO3 manganite-based memristive devices. Polycrystalline manganite thin films were grown by Pulsed Laser Deposition, while metallic electrodes were deposited by sputtering. We show that, depending on the polarity of the initial electroforming, both clockwise and anti-clockwise current-voltage curves can be obtained. We attribute this behavior to the coexistence of different resistive switchingmechanisms.We finally evaluate the electrical behavior of our devices after irradiation with high energy oxygen ions. We find no significant difference in the dielectric breakdown voltages between irradiated and non-irradiated devices, indicating that they may present radiation hardness and could be therefore appropriate for space or nuclear applications.Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Roman Acevedo, Wilson Stibens. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Quinteros, Cynthia Paula. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Mangano, E.. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; ArgentinaFil: Granell, Pablo Nicolás. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; ArgentinaFil: Golmar, Federico. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; ArgentinaFil: Marlasca, F. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Suarez, Sergio Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Bernardi, Guillermo Carlos. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Albornoz, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Levy, Pablo Eduardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaElsevier Science Sa2015-03info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/38388Rubi, Diego; Kalstein, Ariel; Roman Acevedo, Wilson Stibens; Ghenzi, Néstor; Quinteros, Cynthia Paula; et al.; Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 583; 1; 3-2015; 76-800040-6090CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609015002643info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.tsf.2015.03.048info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:47:05Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/38388instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:47:05.393CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
title |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
spellingShingle |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness Rubi, Diego Oxide Thin Films Radiation Hardness Resistive Random Access Memory |
title_short |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
title_full |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
title_fullStr |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
title_full_unstemmed |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
title_sort |
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Rubi, Diego Kalstein, Ariel Roman Acevedo, Wilson Stibens Ghenzi, Néstor Quinteros, Cynthia Paula Mangano, E. Granell, Pablo Nicolás Golmar, Federico Marlasca, F. G. Suarez, Sergio Gabriel Bernardi, Guillermo Carlos Albornoz, C. Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela Levy, Pablo Eduardo |
author |
Rubi, Diego |
author_facet |
Rubi, Diego Kalstein, Ariel Roman Acevedo, Wilson Stibens Ghenzi, Néstor Quinteros, Cynthia Paula Mangano, E. Granell, Pablo Nicolás Golmar, Federico Marlasca, F. G. Suarez, Sergio Gabriel Bernardi, Guillermo Carlos Albornoz, C. Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela Levy, Pablo Eduardo |
author_role |
author |
author2 |
Kalstein, Ariel Roman Acevedo, Wilson Stibens Ghenzi, Néstor Quinteros, Cynthia Paula Mangano, E. Granell, Pablo Nicolás Golmar, Federico Marlasca, F. G. Suarez, Sergio Gabriel Bernardi, Guillermo Carlos Albornoz, C. Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela Levy, Pablo Eduardo |
author2_role |
author author author author author author author author author author author author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
Oxide Thin Films Radiation Hardness Resistive Random Access Memory |
topic |
Oxide Thin Films Radiation Hardness Resistive Random Access Memory |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
We report on the fabrication and characterization of La2/3Ca1/3MnO3 manganite-based memristive devices. Polycrystalline manganite thin films were grown by Pulsed Laser Deposition, while metallic electrodes were deposited by sputtering. We show that, depending on the polarity of the initial electroforming, both clockwise and anti-clockwise current-voltage curves can be obtained. We attribute this behavior to the coexistence of different resistive switchingmechanisms.We finally evaluate the electrical behavior of our devices after irradiation with high energy oxygen ions. We find no significant difference in the dielectric breakdown voltages between irradiated and non-irradiated devices, indicating that they may present radiation hardness and could be therefore appropriate for space or nuclear applications. Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina Fil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Roman Acevedo, Wilson Stibens. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Quinteros, Cynthia Paula. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Mangano, E.. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina Fil: Granell, Pablo Nicolás. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina Fil: Golmar, Federico. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Centro de Micro y Nanoelectrónica del Bicentenario. Unidad Técnica de Micro y Nano Sistemas; Argentina Fil: Marlasca, F. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Suarez, Sergio Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Bernardi, Guillermo Carlos. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Albornoz, C.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina Fil: Levy, Pablo Eduardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina |
description |
We report on the fabrication and characterization of La2/3Ca1/3MnO3 manganite-based memristive devices. Polycrystalline manganite thin films were grown by Pulsed Laser Deposition, while metallic electrodes were deposited by sputtering. We show that, depending on the polarity of the initial electroforming, both clockwise and anti-clockwise current-voltage curves can be obtained. We attribute this behavior to the coexistence of different resistive switchingmechanisms.We finally evaluate the electrical behavior of our devices after irradiation with high energy oxygen ions. We find no significant difference in the dielectric breakdown voltages between irradiated and non-irradiated devices, indicating that they may present radiation hardness and could be therefore appropriate for space or nuclear applications. |
publishDate |
2015 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2015-03 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/38388 Rubi, Diego; Kalstein, Ariel; Roman Acevedo, Wilson Stibens; Ghenzi, Néstor; Quinteros, Cynthia Paula; et al.; Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 583; 1; 3-2015; 76-80 0040-6090 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/38388 |
identifier_str_mv |
Rubi, Diego; Kalstein, Ariel; Roman Acevedo, Wilson Stibens; Ghenzi, Néstor; Quinteros, Cynthia Paula; et al.; Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 583; 1; 3-2015; 76-80 0040-6090 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
eng |
language |
eng |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609015002643 info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.tsf.2015.03.048 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Elsevier Science Sa |
publisher.none.fl_str_mv |
Elsevier Science Sa |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844613467432026112 |
score |
13.070432 |