Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
- Autores
- Ghenzi, Néstor; Rubi, Diego; Mangano, E.; Gimenez, G.; Lell, Julián Alejandro; Zelcer, Andrés; Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo
- Año de publicación
- 2013
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina - Materia
-
Radiation Hardness
Resistive Switching
Memristive
Nnon Volatile Memories - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
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Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctionsGhenzi, NéstorRubi, DiegoMangano, E.Gimenez, G.Lell, Julián AlejandroZelcer, AndrésStoliar, Pablo AlbertoLevy, Pablo EduardoRadiation HardnessResistive SwitchingMemristiveNnon Volatile Memorieshttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaElsevier2013-11info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/32812Ghenzi, Néstor; Levy, Pablo Eduardo; Zelcer, Andrés; Lell, Julián Alejandro; Gimenez, G.; Rubi, Diego; et al.; Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions; Elsevier; Thin Solid Films; 550; 11-2013; 683-6880040-6090CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.tsf.2013.11.013info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013018294info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:55:40Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/32812instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:55:41.174CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
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