Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions

Autores
Ghenzi, Néstor; Rubi, Diego; Mangano, E.; Gimenez, G.; Lell, Julián Alejandro; Zelcer, Andrés; Stoliar, Pablo Alberto; Levy, Pablo Eduardo
Año de publicación
2013
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Materia
Radiation Hardness
Resistive Switching
Memristive
Nnon Volatile Memories
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/32812

id CONICETDig_dc03ddba9f8356f0007e61b41b6e8dbe
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/32812
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctionsGhenzi, NéstorRubi, DiegoMangano, E.Gimenez, G.Lell, Julián AlejandroZelcer, AndrésStoliar, Pablo AlbertoLevy, Pablo EduardoRadiation HardnessResistive SwitchingMemristiveNnon Volatile Memorieshttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaElsevier2013-11info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/32812Ghenzi, Néstor; Levy, Pablo Eduardo; Zelcer, Andrés; Lell, Julián Alejandro; Gimenez, G.; Rubi, Diego; et al.; Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions; Elsevier; Thin Solid Films; 550; 11-2013; 683-6880040-6090CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.tsf.2013.11.013info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013018294info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:55:40Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/32812instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:55:41.174CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
title Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
spellingShingle Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
Ghenzi, Néstor
Radiation Hardness
Resistive Switching
Memristive
Nnon Volatile Memories
title_short Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
title_full Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
title_fullStr Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
title_full_unstemmed Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
title_sort Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
dc.creator.none.fl_str_mv Ghenzi, Néstor
Rubi, Diego
Mangano, E.
Gimenez, G.
Lell, Julián Alejandro
Zelcer, Andrés
Stoliar, Pablo Alberto
Levy, Pablo Eduardo
author Ghenzi, Néstor
author_facet Ghenzi, Néstor
Rubi, Diego
Mangano, E.
Gimenez, G.
Lell, Julián Alejandro
Zelcer, Andrés
Stoliar, Pablo Alberto
Levy, Pablo Eduardo
author_role author
author2 Rubi, Diego
Mangano, E.
Gimenez, G.
Lell, Julián Alejandro
Zelcer, Andrés
Stoliar, Pablo Alberto
Levy, Pablo Eduardo
author2_role author
author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Radiation Hardness
Resistive Switching
Memristive
Nnon Volatile Memories
topic Radiation Hardness
Resistive Switching
Memristive
Nnon Volatile Memories
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Fil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentina
description We study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.
publishDate 2013
dc.date.none.fl_str_mv 2013-11
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/32812
Ghenzi, Néstor; Levy, Pablo Eduardo; Zelcer, Andrés; Lell, Julián Alejandro; Gimenez, G.; Rubi, Diego; et al.; Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions; Elsevier; Thin Solid Films; 550; 11-2013; 683-688
0040-6090
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/32812
identifier_str_mv Ghenzi, Néstor; Levy, Pablo Eduardo; Zelcer, Andrés; Lell, Julián Alejandro; Gimenez, G.; Rubi, Diego; et al.; Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions; Elsevier; Thin Solid Films; 550; 11-2013; 683-688
0040-6090
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.tsf.2013.11.013
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013018294
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Elsevier
publisher.none.fl_str_mv Elsevier
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844613676828459008
score 13.070432