Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida
- Autores
- Filippin, Francisco Angel; Santos, Elizabeth del Carmen; Avalle, Lucia Bernardita
- Año de publicación
- 2017
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2 ) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4 . Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados.
The spontaneously formed TiO 2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO 2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 10 22 cm -3 . From this result the oxide films have proved to have n-typesemiconductor characteristics.
Fil: Filippin, Francisco Angel. Universidad Nacional de Catamarca; Argentina
Fil: Santos, Elizabeth del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina
Fil: Avalle, Lucia Bernardita. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina - Materia
-
TITANIUM DIOXIDE
ANODIZATION
MOTT-SCHOTTKY - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/88818
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_62c51b1684736d59aac9154bd0379a93 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/88818 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluidaSemiconductor properties of titaniun oxide formed on glass/ti/tio2 substrates in diluted acid solutionFilippin, Francisco AngelSantos, Elizabeth del CarmenAvalle, Lucia BernarditaTITANIUM DIOXIDEANODIZATIONMOTT-SCHOTTKYhttps://purl.org/becyt/ford/1.4https://purl.org/becyt/ford/1El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2 ) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4 . Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados.The spontaneously formed TiO 2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO 2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 10 22 cm -3 . From this result the oxide films have proved to have n-typesemiconductor characteristics.Fil: Filippin, Francisco Angel. Universidad Nacional de Catamarca; ArgentinaFil: Santos, Elizabeth del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; ArgentinaFil: Avalle, Lucia Bernardita. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; ArgentinaAsociación Física Argentina2017-07info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/88818Filippin, Francisco Angel; Santos, Elizabeth del Carmen; Avalle, Lucia Bernardita; Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 28; 2; 7-2017; 45-490327-358X1850-1168CONICET DigitalCONICETspainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.31527/analesafa.2017.28.2.45info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/login?source=%2Fjournal%2Findex.php%2Fanalesafa%2Farticle%2Fview%2F2133info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:45:10Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/88818instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:45:11.228CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida Semiconductor properties of titaniun oxide formed on glass/ti/tio2 substrates in diluted acid solution |
title |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
spellingShingle |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida Filippin, Francisco Angel TITANIUM DIOXIDE ANODIZATION MOTT-SCHOTTKY |
title_short |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
title_full |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
title_fullStr |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
title_full_unstemmed |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
title_sort |
Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Filippin, Francisco Angel Santos, Elizabeth del Carmen Avalle, Lucia Bernardita |
author |
Filippin, Francisco Angel |
author_facet |
Filippin, Francisco Angel Santos, Elizabeth del Carmen Avalle, Lucia Bernardita |
author_role |
author |
author2 |
Santos, Elizabeth del Carmen Avalle, Lucia Bernardita |
author2_role |
author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
TITANIUM DIOXIDE ANODIZATION MOTT-SCHOTTKY |
topic |
TITANIUM DIOXIDE ANODIZATION MOTT-SCHOTTKY |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.4 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2 ) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4 . Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados. The spontaneously formed TiO 2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO 2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 10 22 cm -3 . From this result the oxide films have proved to have n-typesemiconductor characteristics. Fil: Filippin, Francisco Angel. Universidad Nacional de Catamarca; Argentina Fil: Santos, Elizabeth del Carmen. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina Fil: Avalle, Lucia Bernardita. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola. Universidad Nacional de Córdoba. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina |
description |
El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2 ) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4 . Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados. |
publishDate |
2017 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2017-07 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/88818 Filippin, Francisco Angel; Santos, Elizabeth del Carmen; Avalle, Lucia Bernardita; Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 28; 2; 7-2017; 45-49 0327-358X 1850-1168 CONICET Digital CONICET |
url |
http://hdl.handle.net/11336/88818 |
identifier_str_mv |
Filippin, Francisco Angel; Santos, Elizabeth del Carmen; Avalle, Lucia Bernardita; Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/ti/tio2 en una solución ácida diluida; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 28; 2; 7-2017; 45-49 0327-358X 1850-1168 CONICET Digital CONICET |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.31527/analesafa.2017.28.2.45 info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/login?source=%2Fjournal%2Findex.php%2Fanalesafa%2Farticle%2Fview%2F2133 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844614490819133440 |
score |
13.070432 |