Evaluación de la propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 en una solución ácida diluída

Autores
Filippin, Francisco Angel; Santos, E.; Avalle, Lucía Bernardita
Año de publicación
2017
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2 que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef= 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4. Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados
The spontaneously formed TiO2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 1022 cm-3. From this result the oxide films have proved to have n-type semiconductor characteristics
Fil: Filippin, Francisco Angel. Universidad Nacional de Catamarca. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física. Catamarca. Argentina
Fil: Santos, E.. Universidad Nacional de Córdoba - CONICET. Instituto de Física Enrique Gaviola (IFEG). Córdoba. Argentina
Fil: Avalle, Lucía Bernardita. Universidad Nacional de Córdoba - CONICET. Instituto de Física Enrique Gaviola (IFEG). Córdoba. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2017;02(28):45-49
Materia
DIOXIDO DE TITANIO
ANODIZACION
MOTT-SCHOTTKY
TITANIUM DIOXIDE
ANODIZATION
MOTT-SCHOTTKY
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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The spontaneously formed TiO2 film on titanium metal confers high resistance properties to corrosion in different environments. Titanium oxide films can be formed by thermal and electrochemical external perturbations up to different thicknesses, these present characteristics of a semiconductor. The semiconductor properties of anodically formed oxide films have been interpreted by graphic representations of Mott-Schottky. In this report, the TiO2 growth was carried out using potentiodynamic conditions, where the highest positive potential limit Ef was 1.85 V vs NHE (Normal Hydrogen Electrode) in 0.01 M HClO4. The oxide formed was stable in the potential region studied in this report. By Mott-Schottky analysis the electrode glass/Ti/TiO2 has a concentration of oxygen vacancies of the order of 1022 cm-3. From this result the oxide films have proved to have n-type semiconductor characteristics
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