Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.

Autores
Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio
Año de publicación
2003
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado.
Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Materia
MPC
DENSIDAD DE ESTADOS
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/27756
Acceder
id CONICETDig_4b141d63e5e3a632ca98a1de87ff1cf3
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/27756
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.Dussan Cuenca, AndersonSchmidt, Javier AlejandroArce, Roberto DelioKoropecki, Roberto RomanBuitrago, Roman HoracioMPCDENSIDAD DE ESTADOShttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado.Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaFil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaAsociación Física Argentina2003-09info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/mswordapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/27756Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio; Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 14; 9-2003; 230-2340327-358XCONICET DigitalCONICETspainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/695/695info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T10:14:37Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/27756instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 10:14:37.8CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
title Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
spellingShingle Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
Dussan Cuenca, Anderson
MPC
DENSIDAD DE ESTADOS
title_short Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
title_full Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
title_fullStr Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
title_full_unstemmed Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
title_sort Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.
dc.creator.none.fl_str_mv Dussan Cuenca, Anderson
Schmidt, Javier Alejandro
Arce, Roberto Delio
Koropecki, Roberto Roman
Buitrago, Roman Horacio
author Dussan Cuenca, Anderson
author_facet Dussan Cuenca, Anderson
Schmidt, Javier Alejandro
Arce, Roberto Delio
Koropecki, Roberto Roman
Buitrago, Roman Horacio
author_role author
author2 Schmidt, Javier Alejandro
Arce, Roberto Delio
Koropecki, Roberto Roman
Buitrago, Roman Horacio
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv MPC
DENSIDAD DE ESTADOS
topic MPC
DENSIDAD DE ESTADOS
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado.
Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
description En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado.
publishDate 2003
dc.date.none.fl_str_mv 2003-09
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/27756
Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio; Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 14; 9-2003; 230-234
0327-358X
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/27756
identifier_str_mv Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio; Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defectos en semiconductores.; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 14; 9-2003; 230-234
0327-358X
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/695/695
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/msword
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844614076137734144
score 13.069144

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