Sobre la validez del método de fotoconductividad modulada en el régimen de recombinación para el cálculo de densidad de estados de defecto en semiconductores

Autores
Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Román; Buitrago, Román Horacio
Año de publicación
2002
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo, se estudian los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente en muestras semiconductoras amorfas y microcristalinas realizados en el régimen gobernado por recombinación. La influencia de la intensidad de luz empleada se analiza tanto experimentalmente como a través de simulaciones. Los resultados de experimentos de modulación de fotocorriente realizados en el régimen gobernado por recombinación (RRMPC) se simulan a través de un programa de cálculo que tiene en cuenta todas las transiciones térmicas y ópticas, empleando un amplio rango de distribuciones de densidades de estado. La DOS se reconstruye en cada caso a partir de los resultados obtenidos por simulación, usando el método de RRMPC. Los resultados obtenidos usando diferentes intensidades de luz conducen a la definición empírica de un parámetro indicador, que permite evaluar la validez de las hipótesis del método RRMPC para un experimento particular. Se presentan como ejemplos medidas para muestras de silicio microcristalino y silicio amorfo hidrogenado
In this work, we study the modulated photocurrent arising from experiments performed in the recombination regime on amorphous and microcrystalline semiconductor samples. The influence of the illumination intensity on the results obtained from the recombination-regime modulated photocurrent (RRMPC) technique is studied both from measurements and computer simulations. By using a wide range of DOS distributions and a computer code that takes into account all thermal and optical transitions involving gap states, modulated photoconductivity experimental data are simulated. The DOS is then reconstructed from the simulated data by using the RRMPC method. Simulations performed under different light intensities led to the empiric definition of an indicator parameter which allows us to evaluate the validity of the hypotheses of the RRMPC method for a particular experiment. Measurements for microcrystalline and amorphous hydrogenated silicon samples are presented as examples
Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):230-234
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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In this work, we study the modulated photocurrent arising from experiments performed in the recombination regime on amorphous and microcrystalline semiconductor samples. The influence of the illumination intensity on the results obtained from the recombination-regime modulated photocurrent (RRMPC) technique is studied both from measurements and computer simulations. By using a wide range of DOS distributions and a computer code that takes into account all thermal and optical transitions involving gap states, modulated photoconductivity experimental data are simulated. The DOS is then reconstructed from the simulated data by using the RRMPC method. Simulations performed under different light intensities led to the empiric definition of an indicator parameter which allows us to evaluate the validity of the hypotheses of the RRMPC method for a particular experiment. Measurements for microcrystalline and amorphous hydrogenated silicon samples are presented as examples
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