Estudio Comparativo de la Densidad de Estados en Muestras de Silicio Microcristalino Obtenida a Través del Método de Conductividad Térmicamente Estimulada y Técnicas de Fotoconduct...

Autores
Dussan, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Koropecki, Roberto Roman
Año de publicación
2008
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se presenta un estudio de la densidad de estados (DOS) obtenida en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [µc-Si:H (B)] a través del método de conductividad térmicamente estimulada (TSC) y comparada con los resultados obtenidos a partir de los métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra, a partir de simulaciones, que la DOS es sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto µntn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón). El método TSC se aplica aquí por primera vez a muestras de µc-Si:H para calcular la densidad de estados de defecto en la banda prohibida del material.
In this work density of states (DOS) was obtained on boron-doped microcrystalline silicon samples [µc-Si:H (B)] from the thermally stimulated conductivity (TSC) technique and compared with results obtained by the modulated photoconductivity methods. To explain the poor agreement between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simulations that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the µntn product (mobility of electron × lifetime of the electron). The TSC method is applied here for the first time to calculate the density of defect states in the forbidden band of µc-Si:H samples.
Fil: Dussan, Anderson. Universidad Nacional de Colombia; Colombia
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Materia
Densidad de Estados
Estado de Defecto
Silicio Amorfo Hidrogenado
Pel¨ªculas Delgadas
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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