Determinación de la densidad de defectos en el "gap" de semiconductores en película delgada por técnicas de modulación de fotoconductividad
- Autores
- Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Román
- Año de publicación
- 2001
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Se presenta un estudio de la DOS de semiconductores en película delgada a partir del Método de la Fotocorriente Modulada (MPC). Se utilizó como fuente de luz un láser de HeNe de 10mW modulando 12.5% en intensidad mediante un modulador electro-óptico. Se realizaron mediciones sobre muestras de a-Si:Hy μc-Si:H, para altas (G≅10²¹cmˉ³sˉ¹) y bajas (G≅101cm3s1) intensidades de luz. Se obtienen, mediante un "Lock-in", valores de la fotocorriente modulada y el retardo de fase en función de la frecuencia. Se muestra que los tiempos de recombinación de portadores se pueden inferir de medidas de MPC en el limite de bajas frecuencias y altas intensidades. El espectro de la DOS, en la parte superior del "gap", se obtiene a partir de estas mediciones y de mediciones de fotoconductividad. Se comparan estos resultados con los obtenidos a través de otros métodos observándose una buena concordancia entre ellos. Los resultados alcanzados son comparables con los obtenidos por métodos alternativos. Se discuten ventajas y limitaciones del método propuesto para la determinación de la DOS
Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC)
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2001;01(13):172-177
- Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
- Repositorio
- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
- afa:afa_v13_n01_p172
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Determinación de la densidad de defectos en el "gap" de semiconductores en película delgada por técnicas de modulación de fotoconductividadDussan Cuenca, AndersonSchmidt, Javier AlejandroArce, Roberto DelioKoropecki, Roberto RománSe presenta un estudio de la DOS de semiconductores en película delgada a partir del Método de la Fotocorriente Modulada (MPC). Se utilizó como fuente de luz un láser de HeNe de 10mW modulando 12.5% en intensidad mediante un modulador electro-óptico. Se realizaron mediciones sobre muestras de a-Si:Hy μc-Si:H, para altas (G≅10²¹cmˉ³sˉ¹) y bajas (G≅101cm3s1) intensidades de luz. Se obtienen, mediante un "Lock-in", valores de la fotocorriente modulada y el retardo de fase en función de la frecuencia. Se muestra que los tiempos de recombinación de portadores se pueden inferir de medidas de MPC en el limite de bajas frecuencias y altas intensidades. El espectro de la DOS, en la parte superior del "gap", se obtiene a partir de estas mediciones y de mediciones de fotoconductividad. Se comparan estos resultados con los obtenidos a través de otros métodos observándose una buena concordancia entre ellos. Los resultados alcanzados son comparables con los obtenidos por métodos alternativos. Se discuten ventajas y limitaciones del método propuesto para la determinación de la DOSFil: Dussan Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC)Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2001info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v13_n01_p172An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2001;01(13):172-177reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:29Zafa:afa_v13_n01_p172Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:30.294Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
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