Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD

Autores
Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Román Horacio
Año de publicación
2010
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato
In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate
Fil: Benvenuto, Ariel Gastón. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):56-59
Materia
PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
CVD
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v22_n02_p056

id BDUBAFCEN_f215cc6ad56091126a660753ad35efde
oai_identifier_str afa:afa_v22_n02_p056
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVDObtention of thin polycrystalline silicon films from chlorosilanes in CVD reactorsBenvenuto, Ariel GastónSchmidt, Javier AlejandroBuitrago, Román HoracioPELICULAS DELGADASSILICIO POLICRISTALINOCVDTHIN FILMSPOLYCRYSTALLINE SILICONCVDEn este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustratoIn this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrateFil: Benvenuto, Ariel Gastón. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2010info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p056An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):56-59reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-04T09:43:37Zafa:afa_v22_n02_p056Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-04 09:43:38.396Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
Obtention of thin polycrystalline silicon films from chlorosilanes in CVD reactors
title Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
spellingShingle Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
Benvenuto, Ariel Gastón
PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
CVD
title_short Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
title_full Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
title_fullStr Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
title_full_unstemmed Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
title_sort Obtención de películas delgadas de silicio policristalino a partir de clorosilanos en reactores de CVD
dc.creator.none.fl_str_mv Benvenuto, Ariel Gastón
Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Román Horacio
author Benvenuto, Ariel Gastón
author_facet Benvenuto, Ariel Gastón
Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Román Horacio
author_role author
author2 Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Román Horacio
author2_role author
author
dc.subject.none.fl_str_mv PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
CVD
topic PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
CVD
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato
In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate
Fil: Benvenuto, Ariel Gastón. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
description En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p056
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p056
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):56-59
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1842340654648131584
score 12.623145