Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino

Autores
Budini, Nicolás; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Buitrago, Román Horacio
Año de publicación
2007
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dió como resultado un material nanocristalino
In this work, the evolution of structural and electrical transport properties of hydrogenated amorphous silicon thin films subjected to different thermal treatments, was studied. The films were prepared by PECVD at different temperatures and at high deposition rates. Post-deposition thermal annealing processes, performed to analyze the amorphous-to-crystalline phase transition, nucleation and grain growth, have been carried out with the aim of determining the best conditions to obtain polycrystalline silicon thin films with the largest possible grain size. The crystallization process of hydrogenated amorphous silicon, by means of stepped and sequenced thermal annealings, resulted in a nanocrystalline material
Fil: Budini, Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):182-186
Materia
SILICIO AMORFO HIDROGENADO
PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
TRATAMIENTOS TERMICOS
HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
THERMAL ANNEALING
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
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Acceder
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In this work, the evolution of structural and electrical transport properties of hydrogenated amorphous silicon thin films subjected to different thermal treatments, was studied. The films were prepared by PECVD at different temperatures and at high deposition rates. Post-deposition thermal annealing processes, performed to analyze the amorphous-to-crystalline phase transition, nucleation and grain growth, have been carried out with the aim of determining the best conditions to obtain polycrystalline silicon thin films with the largest possible grain size. The crystallization process of hydrogenated amorphous silicon, by means of stepped and sequenced thermal annealings, resulted in a nanocrystalline material
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