Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD

Autores
Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio
Año de publicación
2011
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.
In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.
Fil: Benvenuto, Ariel Gastón. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
Materia
PELÍCULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/13478
Acceder
id CONICETDig_e123c9221d1c70cb4ae4ff46bbc88fce
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/13478
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVDBenvenuto, Ariel GastónSchmidt, Javier AlejandroBuitrago, Roman HoracioPELÍCULAS DELGADASSILICIO POLICRISTALINOCVDhttps://purl.org/becyt/ford/2.5https://purl.org/becyt/ford/2https://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.Fil: Benvenuto, Ariel Gastón. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); ArgentinaFil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); ArgentinaAsociación Física Argentina2011-10info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/13478Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio; Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 22; 2; 10-2011; 56-590327-358Xspainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/436/445info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-03T09:43:57Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/13478instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-03 09:43:57.589CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
title Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
spellingShingle Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
Benvenuto, Ariel Gastón
PELÍCULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
title_short Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
title_full Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
title_fullStr Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
title_full_unstemmed Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
title_sort Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD
dc.creator.none.fl_str_mv Benvenuto, Ariel Gastón
Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Roman Horacio
author Benvenuto, Ariel Gastón
author_facet Benvenuto, Ariel Gastón
Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Roman Horacio
author_role author
author2 Schmidt, Javier Alejandro
Buitrago, Roman Horacio
author2_role author
author
dc.subject.none.fl_str_mv PELÍCULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
topic PELÍCULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
CVD
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/2.5
https://purl.org/becyt/ford/2
https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.
In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.
Fil: Benvenuto, Ariel Gastón. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico Para la Industria Química (i); Argentina
description En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.
publishDate 2011
dc.date.none.fl_str_mv 2011-10
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/13478
Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio; Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 22; 2; 10-2011; 56-59
0327-358X
url http://hdl.handle.net/11336/13478
identifier_str_mv Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio; Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 22; 2; 10-2011; 56-59
0327-358X
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/436/445
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1842268634857078784
score 13.13397

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