Silicio microcristalino intrínseco depositado por PECVD de alta frecuencia a muy baja temperatura
- Autores
- Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio; Risso, Graciela; Cutrera, Miriam Edith; Battioni, Mario Rubén
- Año de publicación
- 1999
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de R.F. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de R.F., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición (~ 170 C), obteniéndose un material apto para uso fotovoltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis. Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividad
The focus of this work is to determine correlations among optical, electrical transport properties and deposition conditions of microcrystalline films deposited on corning 7059 glass by VHF-PECVD in a capacitive-coupled reactor. The hydrogen dilution of silane reactant gas used was varied in the range (2-6 %). The R.F. power, gas flow, total presion and substrate temperature were varied in a wide range. The tension-compression properties of the films showed to be very sensitive to substrate temperature and flow gas. To avoid films peeling low temperature (~ 170 C) and gas flow (40 sscm) were necessary. A material of suitable photovoltaic characteristics was obtained. Dark conductivity, photoconductivity, optic gap, absorption coefficient, refraction index, Raman spectroscopy and UV-Vis transmittance were used to characterize each sample. The films obtained have microcrystalline fraction greater than 80 %, dark conductivity higher than 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, very stable photoconductivity, and interesting correlations among crystal size, absorption coefficient and dark conductivity
Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fil: Risso, Graciela. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fil: Cutrera, Miriam Edith. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Battioni, Mario Rubén. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1999;01(11):220-223
- Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
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- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Silicio microcristalino intrínseco depositado por PECVD de alta frecuencia a muy baja temperaturaConcari, Sonia BeatrizBuitrago, Román HoracioRisso, GracielaCutrera, Miriam EdithBattioni, Mario RubénEste trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de R.F. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de R.F., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición (~ 170 C), obteniéndose un material apto para uso fotovoltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis. Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividadThe focus of this work is to determine correlations among optical, electrical transport properties and deposition conditions of microcrystalline films deposited on corning 7059 glass by VHF-PECVD in a capacitive-coupled reactor. The hydrogen dilution of silane reactant gas used was varied in the range (2-6 %). The R.F. power, gas flow, total presion and substrate temperature were varied in a wide range. The tension-compression properties of the films showed to be very sensitive to substrate temperature and flow gas. To avoid films peeling low temperature (~ 170 C) and gas flow (40 sscm) were necessary. A material of suitable photovoltaic characteristics was obtained. Dark conductivity, photoconductivity, optic gap, absorption coefficient, refraction index, Raman spectroscopy and UV-Vis transmittance were used to characterize each sample. The films obtained have microcrystalline fraction greater than 80 %, dark conductivity higher than 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, very stable photoconductivity, and interesting correlations among crystal size, absorption coefficient and dark conductivityFil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. ArgentinaFil: Risso, Graciela. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaFil: Cutrera, Miriam Edith. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Battioni, Mario Rubén. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina1999info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v11_n01_p220An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1999;01(11):220-223reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-04T09:43:40Zafa:afa_v11_n01_p220Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-04 09:43:41.158Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
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