Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado

Autores
Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio
Año de publicación
2002
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable
Conductivity measurements of a great number of intrinsic microcrystalline Silicon thin films as well as p type doped with Boron were done. Conductivity as a function of the inverse of temperature showed a thermally activated behavior of electric carriers with constant activation energy in all the range studied. Following the method proposed by Godet, the predominant electronic transport mechanism for this group of different films was established, being a phononic variable range hopping Using classical equations of Percolation Theory, the density of states near the Fermi level was calculated obtaining values that are consistent with the results of other independent experiments
Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):235-237
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v14_n01_p235

id BDUBAFCEN_e056d580605ca5690bf4cdbf80ded84a
oai_identifier_str afa:afa_v14_n01_p235
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopadoConcari, Sonia BeatrizBuitrago, Román HoracioSe realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variableConductivity measurements of a great number of intrinsic microcrystalline Silicon thin films as well as p type doped with Boron were done. Conductivity as a function of the inverse of temperature showed a thermally activated behavior of electric carriers with constant activation energy in all the range studied. Following the method proposed by Godet, the predominant electronic transport mechanism for this group of different films was established, being a phononic variable range hopping Using classical equations of Percolation Theory, the density of states near the Fermi level was calculated obtaining values that are consistent with the results of other independent experimentsFil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. ArgentinaFil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2002info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):235-237reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-11-13T08:41:38Zafa:afa_v14_n01_p235Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-11-13 08:41:39.902Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
spellingShingle Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
Concari, Sonia Beatriz
title_short Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_full Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_fullStr Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_full_unstemmed Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_sort Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
dc.creator.none.fl_str_mv Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
author Concari, Sonia Beatriz
author_facet Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
author_role author
author2 Buitrago, Román Horacio
author2_role author
dc.description.none.fl_txt_mv Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable
Conductivity measurements of a great number of intrinsic microcrystalline Silicon thin films as well as p type doped with Boron were done. Conductivity as a function of the inverse of temperature showed a thermally activated behavior of electric carriers with constant activation energy in all the range studied. Following the method proposed by Godet, the predominant electronic transport mechanism for this group of different films was established, being a phononic variable range hopping Using classical equations of Percolation Theory, the density of states near the Fermi level was calculated obtaining values that are consistent with the results of other independent experiments
Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina
description Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable
publishDate 2002
dc.date.none.fl_str_mv 2002
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):235-237
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1848680002231468032
score 13.25334