Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia
- Autores
- Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio; Cutrera, Miriam; Risso, Gustavo Armando; Battioni, Mario
- Año de publicación
- 1999
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis.
Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES) - Materia
-
Ingeniería
Ingeniería Química
silicio nanocristalino
propiedades ópticas
propiedades estructurales - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Repositorio
- Institución
- Universidad Nacional de La Plata
- OAI Identificador
- oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/157788
Ver los metadatos del registro completo
id |
SEDICI_8e72b33d83fb008f9cc3272328ced2c6 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:sedici.unlp.edu.ar:10915/157788 |
network_acronym_str |
SEDICI |
repository_id_str |
1329 |
network_name_str |
SEDICI (UNLP) |
spelling |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuenciaConcari, Sonia BeatrizBuitrago, Román HoracioCutrera, MiriamRisso, Gustavo ArmandoBattioni, MarioIngenieríaIngeniería Químicasilicio nanocristalinopropiedades ópticaspropiedades estructuralesSe estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES)1999info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionArticulohttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157788spainfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/0329-5184info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0)reponame:SEDICI (UNLP)instname:Universidad Nacional de La Platainstacron:UNLP2025-09-03T11:13:06Zoai:sedici.unlp.edu.ar:10915/157788Institucionalhttp://sedici.unlp.edu.ar/Universidad públicaNo correspondehttp://sedici.unlp.edu.ar/oai/snrdalira@sedici.unlp.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:13292025-09-03 11:13:06.235SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Platafalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
title |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
spellingShingle |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia Concari, Sonia Beatriz Ingeniería Ingeniería Química silicio nanocristalino propiedades ópticas propiedades estructurales |
title_short |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
title_full |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
title_fullStr |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
title_full_unstemmed |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
title_sort |
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Concari, Sonia Beatriz Buitrago, Román Horacio Cutrera, Miriam Risso, Gustavo Armando Battioni, Mario |
author |
Concari, Sonia Beatriz |
author_facet |
Concari, Sonia Beatriz Buitrago, Román Horacio Cutrera, Miriam Risso, Gustavo Armando Battioni, Mario |
author_role |
author |
author2 |
Buitrago, Román Horacio Cutrera, Miriam Risso, Gustavo Armando Battioni, Mario |
author2_role |
author author author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
Ingeniería Ingeniería Química silicio nanocristalino propiedades ópticas propiedades estructurales |
topic |
Ingeniería Ingeniería Química silicio nanocristalino propiedades ópticas propiedades estructurales |
dc.description.none.fl_txt_mv |
Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis. Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES) |
description |
Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis. |
publishDate |
1999 |
dc.date.none.fl_str_mv |
1999 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion Articulo http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157788 |
url |
http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157788 |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/0329-5184 |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0) |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:SEDICI (UNLP) instname:Universidad Nacional de La Plata instacron:UNLP |
reponame_str |
SEDICI (UNLP) |
collection |
SEDICI (UNLP) |
instname_str |
Universidad Nacional de La Plata |
instacron_str |
UNLP |
institution |
UNLP |
repository.name.fl_str_mv |
SEDICI (UNLP) - Universidad Nacional de La Plata |
repository.mail.fl_str_mv |
alira@sedici.unlp.edu.ar |
_version_ |
1842260634897481728 |
score |
13.13397 |