Silicio microcristalino intrínseco depositado por PECVD de alta frecuencia a muy baja temperatura - Concari, Sonia Beatriz (1999)
Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de R.F. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de R.F., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición (~ 170 C), obteniéndose un material apto para uso fotovoltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis. Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividad