Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV
- Autores
- Rinaldi, P.; Koropecki, Roberto Román; Buitrago, Román Horacio
- Año de publicación
- 2007
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalino
In this paper results of the study of crystallization characteristics in annealed samples are presented. The samples were deposited by PECVD and then were are exposed to several thermal processes. Spectrometry in the UV and visible region, X-ray diffraction and Raman were used. The height of the peaks appearing at 276 and 356nm, which are characteristic of crystalline silicon, is a good indicator of crystallinity, and allow the characterisation of nucleation and growth of crystalline grains
Fil: Rinaldi, P.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):187-190
- Materia
-
SILICIO
REFLECTANCIA
SILICIO NANOCRISTALINO
DESHIDROGENACION
CRYSALLINE SILICON
REFLECTANCE - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
- Repositorio
- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
- afa:afa_v19_n01_p187
Ver los metadatos del registro completo
id |
BDUBAFCEN_1e2c86b7d3a6647e1f16a7a9300b08d1 |
---|---|
oai_identifier_str |
afa:afa_v19_n01_p187 |
network_acronym_str |
BDUBAFCEN |
repository_id_str |
1896 |
network_name_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
spelling |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UVCrystallization process in hydrogenated amorphous silicon thin films : an UV reflectance studyRinaldi, P.Koropecki, Roberto RománBuitrago, Román HoracioSILICIOREFLECTANCIASILICIO NANOCRISTALINODESHIDROGENACIONCRYSALLINE SILICONREFLECTANCEEn este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalinoIn this paper results of the study of crystallization characteristics in annealed samples are presented. The samples were deposited by PECVD and then were are exposed to several thermal processes. Spectrometry in the UV and visible region, X-ray diffraction and Raman were used. The height of the peaks appearing at 276 and 356nm, which are characteristic of crystalline silicon, is a good indicator of crystallinity, and allow the characterisation of nucleation and growth of crystalline grainsFil: Rinaldi, P.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2007info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):187-190reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-04T09:45:13Zafa:afa_v19_n01_p187Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-04 09:45:15.746Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV Crystallization process in hydrogenated amorphous silicon thin films : an UV reflectance study |
title |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
spellingShingle |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV Rinaldi, P. SILICIO REFLECTANCIA SILICIO NANOCRISTALINO DESHIDROGENACION CRYSALLINE SILICON REFLECTANCE |
title_short |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
title_full |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
title_fullStr |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
title_full_unstemmed |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
title_sort |
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Rinaldi, P. Koropecki, Roberto Román Buitrago, Román Horacio |
author |
Rinaldi, P. |
author_facet |
Rinaldi, P. Koropecki, Roberto Román Buitrago, Román Horacio |
author_role |
author |
author2 |
Koropecki, Roberto Román Buitrago, Román Horacio |
author2_role |
author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
SILICIO REFLECTANCIA SILICIO NANOCRISTALINO DESHIDROGENACION CRYSALLINE SILICON REFLECTANCE |
topic |
SILICIO REFLECTANCIA SILICIO NANOCRISTALINO DESHIDROGENACION CRYSALLINE SILICON REFLECTANCE |
dc.description.none.fl_txt_mv |
En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalino In this paper results of the study of crystallization characteristics in annealed samples are presented. The samples were deposited by PECVD and then were are exposed to several thermal processes. Spectrometry in the UV and visible region, X-ray diffraction and Raman were used. The height of the peaks appearing at 276 and 356nm, which are characteristic of crystalline silicon, is a good indicator of crystallinity, and allow the characterisation of nucleation and growth of crystalline grains Fil: Rinaldi, P.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina |
description |
En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalino |
publishDate |
2007 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2007 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187 |
url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187 |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
dc.source.none.fl_str_mv |
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):187-190 reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN) instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales instacron:UBA-FCEN |
reponame_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
collection |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
instname_str |
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
instacron_str |
UBA-FCEN |
institution |
UBA-FCEN |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
repository.mail.fl_str_mv |
ana@bl.fcen.uba.ar |
_version_ |
1842340660592508928 |
score |
12.623145 |