Estudio electroquímico y elipsométro del crecimiento y propiedades de óxidos anódicos de metales válvula

• Autores: Pérez, Manuel Alejo
• Año de publicación: 2001
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: tesis doctoral
• Colaborador/a o director/a de tesis: Lopez Teijelo, Manuel; Macagno, Vicente Antonio; Bertorello, Héctor Eduardo; Veglia, Alicia Viviana
• Materia: Electrodos; Electroquímica; Tungsteno; Metales válvula; Óxidos anódicos; Fisicoquímica
• Institución: Universidad Nacional de Córdoba

Tesis (Doctor en Ciencias Químicas) - - Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Químicas, 2001.
Fil: Pérez, Manuel Alejo. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Químicas. Departamento de Fisicoquímica; Argentina.
Fil: Pérez, Manuel Alejo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones en Fisicoquímica de Córdoba; Argentina.
El estudio de los mecanismos básicos involucrados en la formación, crecimiento y estabilidad de películas sobre metales es de gran importancia en múltiples áreas de aplicación como la corrosión y pasivación de metales, manufactura de capacitores y celdas solares, refinado y pulido de metales, etc. Las películas pasivas de óxidos sobre metales, en particular, han sido y son actualmente objeto de numerosas investigaciones debido a la amplia variedad de propiedades y fenomenologs encontradas [1v. Young', M. J. Dignam1981, J. W. Schultze2000]. Los óxidos son empleados en diversos dispositivos, las películas conductoras de óxidos se utilizan como material activo en las pilas secas y en los acumuladores de plomo desde 1900. Muchos óxidos con estructura cristalina laminar (NiVO4, Ni021 C0021 Mn2041 Mn02, M0021 W03) forman compuestos subestequiométricos por reacciones de inserción de iones (H o cationes alcalinos) y electrones, siendo utilizados en las baterías recargables de litio [K. Mizushima'980, M. G. S. R. Thomas'985' 1986 M. Yoshio' 2, M. Broussely 3, Wu L¡ 19941 y en dispositivos ópticos (espejos antireflejo, ventanas de control de flujo solar, etc.) [R. B. Go1dner12, S. F. Corgan'997 , K. Yashimura' 71. Los óxidos semiconductores se emplean en la manufactura de celdas solares [R. B. Goldner' 2, S. F. Corgan'99 7, K. Yashimura'9971, capacitores y catalizadores. El estudio de la formación y crecimiento de películas de óxido sobre metales "válvula" es un tema relevante tanto en lo referente a la importancia tecnológica de estos materiales (manufactura de capacitores, protección contra la corrosión, celdas solares, etc.) como en la comprensión de los mecanismos generales de la formación, crecimiento y estabilidad de óxidos {L. Young', M. J. Dignam1981, J. W. Schu1tze °°°]. En un principio, el estudio y discusión de la naturaleza de las películas pasivas se restringió al estado de equilibrio [C. Vanleugenhage'9591 y al estado estacionario [L. Young196t, M. J. Dignam'981 , mientras que en la actualidad nuevas técnicas permiten el estudio detallado mediante la determinación de espesores, estequiometría, microestructura y propiedades electrónicas [J. W. Schultze2000]. El entendimiento de estos fenómenos, ha permitido importantes innovaciones en la manufactura de dispositivos a escala micrométrica y submicrométrica (micromaquinado electroquímico, corrosión localizada inducida por láser, etc.) [O. Voigt].
Fil: Pérez, Manuel Alejo. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Ciencias Químicas. Departamento de Fisicoquímica; Argentina.
Fil: Pérez, Manuel Alejo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones en Fisicoquímica de Córdoba; Argentina.