The recrystallization of ion-implanted silicon layers. II: Implant species effect.

Autores
Christodoulides, C. E.; Baragiola, R. A.; Chivers, D.; Grant, W. A.; Williams, J. S.
Año de publicación
1978
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión aceptada
Descripción
Fil: Christodoulides, C. E. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Baragiola, R. A. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Chivers, D. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Grant, W. A. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Williams, J. S. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
Materia
RECRYSTALLIZATION
ION IMPLANTATION
SILICON IMPLANTS
RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY
POLYCRYSTALS
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
Repositorio
Nuclea (CNEA)
Institución
Comisión Nacional de Energía Atómica
OAI Identificador
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