Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes

Autores
Lipovetzky, José; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor
Año de publicación
2013
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
This paper presents a new technique to build MOS dosimeters using unmodified standard CMOS processes. The devices are n-channel MOS transistors built with the regular Field Oxide as a thick radiation-sensitive gate. The devices were fabricated in two different commercial m CMOS processes, gate oxide thicknesses of nm and nm. Responsivities up to 4.4 mV/rad with positive bias, and 1.7 mV/rad with zero gate bias were obtained in the thicker oxides. The effect of charge trapped in the oxide and interface states on the shift in the threshold voltage are analyzed.
Fil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Carra, Martin Javier. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Materia
Dosimeters
Mos Devices
Radiation Effects
Solid-State Detectors
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/28329
Acceder
id CONICETDig_f89a034440023d5ff300fbba6c75341d
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/28329
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS ProcessesLipovetzky, JoséGarcía Inza, Mariano AndrésCarbonetto, Sebastián HoracioCarra, Martin JavierRedin, Eduardo GabrielSambuco Salomone, Lucas IgnacioFaigon, Adrián NéstorDosimetersMos DevicesRadiation EffectsSolid-State Detectorshttps://purl.org/becyt/ford/2.2https://purl.org/becyt/ford/2This paper presents a new technique to build MOS dosimeters using unmodified standard CMOS processes. The devices are n-channel MOS transistors built with the regular Field Oxide as a thick radiation-sensitive gate. The devices were fabricated in two different commercial m CMOS processes, gate oxide thicknesses of nm and nm. Responsivities up to 4.4 mV/rad with positive bias, and 1.7 mV/rad with zero gate bias were obtained in the thicker oxides. The effect of charge trapped in the oxide and interface states on the shift in the threshold voltage are analyzed.Fil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Carra, Martin Javier. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; ArgentinaFil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaInstitute of Electrical and Electronics Engineers2013-12info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/28329Lipovetzky, José; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 60; 6; 12-2013; 4683-46910018-9499CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6678078/info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2013.2287256info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:41:02Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/28329instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:41:03.129CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
title Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
spellingShingle Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
Lipovetzky, José
Dosimeters
Mos Devices
Radiation Effects
Solid-State Detectors
title_short Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
title_full Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
title_fullStr Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
title_full_unstemmed Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
title_sort Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
dc.creator.none.fl_str_mv Lipovetzky, José
García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Carra, Martin Javier
Redin, Eduardo Gabriel
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Faigon, Adrián Néstor
author Lipovetzky, José
author_facet Lipovetzky, José
García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Carra, Martin Javier
Redin, Eduardo Gabriel
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Faigon, Adrián Néstor
author_role author
author2 García Inza, Mariano Andrés
Carbonetto, Sebastián Horacio
Carra, Martin Javier
Redin, Eduardo Gabriel
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
Faigon, Adrián Néstor
author2_role author
author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Dosimeters
Mos Devices
Radiation Effects
Solid-State Detectors
topic Dosimeters
Mos Devices
Radiation Effects
Solid-State Detectors
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/2.2
https://purl.org/becyt/ford/2
dc.description.none.fl_txt_mv This paper presents a new technique to build MOS dosimeters using unmodified standard CMOS processes. The devices are n-channel MOS transistors built with the regular Field Oxide as a thick radiation-sensitive gate. The devices were fabricated in two different commercial m CMOS processes, gate oxide thicknesses of nm and nm. Responsivities up to 4.4 mV/rad with positive bias, and 1.7 mV/rad with zero gate bias were obtained in the thicker oxides. The effect of charge trapped in the oxide and interface states on the shift in the threshold voltage are analyzed.
Fil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Carra, Martin Javier. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
description This paper presents a new technique to build MOS dosimeters using unmodified standard CMOS processes. The devices are n-channel MOS transistors built with the regular Field Oxide as a thick radiation-sensitive gate. The devices were fabricated in two different commercial m CMOS processes, gate oxide thicknesses of nm and nm. Responsivities up to 4.4 mV/rad with positive bias, and 1.7 mV/rad with zero gate bias were obtained in the thicker oxides. The effect of charge trapped in the oxide and interface states on the shift in the threshold voltage are analyzed.
publishDate 2013
dc.date.none.fl_str_mv 2013-12
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/28329
Lipovetzky, José; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 60; 6; 12-2013; 4683-4691
0018-9499
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/28329
identifier_str_mv Lipovetzky, José; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 60; 6; 12-2013; 4683-4691
0018-9499
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6678078/
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2013.2287256
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
publisher.none.fl_str_mv Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844613298496995328
score 13.070432

Publicaciones similares