CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs
- Autores
- García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor
- Año de publicación
- 2014
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We propose the use of a CMOS differential circuit with inherent amplification to enhance the performance of n-channel field oxide MOSFETs as ionizing radiation dosimeters. These new dosimeters are aimed to be used in low dose applications such as X-ray diagnosis. The circuit is presented and described, and a discrete-level prototype was tested as regards sensitivity, temperature variations compensation and signal-to-noise ratio at different operation conditions. Results show that, comparing to a single MOSFET dosimeter, on chip amplification is possible along with temperature induced error attenuation. The highest sensitivity measured with respect to γ radiation was 0.4 V/rad. The circuit successfully measured the dose delivered in an X-ray image diagnosis environment with a sensitivity of approximately 0.5 V/rad.
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
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-
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Solid-State Detectors - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
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