CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs
- Autores
- García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrián Néstor
- Año de publicación
- 2014
- Idioma
- inglés
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- We propose the use of a CMOS differential circuit with inherent amplification to enhance the performance of n-channel field oxide MOSFETs as ionizing radiation dosimeters. These new dosimeters are aimed to be used in low dose applications such as X-ray diagnosis. The circuit is presented and described, and a discrete-level prototype was tested as regards sensitivity, temperature variations compensation and signal-to-noise ratio at different operation conditions. Results show that, comparing to a single MOSFET dosimeter, on chip amplification is possible along with temperature induced error attenuation. The highest sensitivity measured with respect to γ radiation was 0.4 V/rad. The circuit successfully measured the dose delivered in an X-ray image diagnosis environment with a sensitivity of approximately 0.5 V/rad.
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina - Materia
-
Dosimeters
Mos Devices
Radiation Effects
Solid-State Detectors - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
.jpg)
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/39551
Ver los metadatos del registro completo
| id |
CONICETDig_2b55dfea9216c968afe7c064f4a9aaa8 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/39551 |
| network_acronym_str |
CONICETDig |
| repository_id_str |
3498 |
| network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
| spelling |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETsGarcía Inza, Mariano AndrésCarbonetto, Sebastián HoracioLipovetzky, JoséCarra, Martin JavierRedin, Eduardo GabrielSambuco Salomone, Lucas IgnacioFaigon, Adrián NéstorDosimetersMos DevicesRadiation EffectsSolid-State Detectorshttps://purl.org/becyt/ford/2.2https://purl.org/becyt/ford/2We propose the use of a CMOS differential circuit with inherent amplification to enhance the performance of n-channel field oxide MOSFETs as ionizing radiation dosimeters. These new dosimeters are aimed to be used in low dose applications such as X-ray diagnosis. The circuit is presented and described, and a discrete-level prototype was tested as regards sensitivity, temperature variations compensation and signal-to-noise ratio at different operation conditions. Results show that, comparing to a single MOSFET dosimeter, on chip amplification is possible along with temperature induced error attenuation. The highest sensitivity measured with respect to γ radiation was 0.4 V/rad. The circuit successfully measured the dose delivered in an X-ray image diagnosis environment with a sensitivity of approximately 0.5 V/rad.Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaFil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; ArgentinaInstitute of Electrical and Electronics Engineers2014-12info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/39551García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 6; 12-2014; 3466-34710018-9499CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2014.2368361info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6969124/info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-10-29T11:48:41Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/39551instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-10-29 11:48:42.198CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
| dc.title.none.fl_str_mv |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| title |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| spellingShingle |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs García Inza, Mariano Andrés Dosimeters Mos Devices Radiation Effects Solid-State Detectors |
| title_short |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| title_full |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| title_fullStr |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| title_full_unstemmed |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| title_sort |
CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs |
| dc.creator.none.fl_str_mv |
García Inza, Mariano Andrés Carbonetto, Sebastián Horacio Lipovetzky, José Carra, Martin Javier Redin, Eduardo Gabriel Sambuco Salomone, Lucas Ignacio Faigon, Adrián Néstor |
| author |
García Inza, Mariano Andrés |
| author_facet |
García Inza, Mariano Andrés Carbonetto, Sebastián Horacio Lipovetzky, José Carra, Martin Javier Redin, Eduardo Gabriel Sambuco Salomone, Lucas Ignacio Faigon, Adrián Néstor |
| author_role |
author |
| author2 |
Carbonetto, Sebastián Horacio Lipovetzky, José Carra, Martin Javier Redin, Eduardo Gabriel Sambuco Salomone, Lucas Ignacio Faigon, Adrián Néstor |
| author2_role |
author author author author author author |
| dc.subject.none.fl_str_mv |
Dosimeters Mos Devices Radiation Effects Solid-State Detectors |
| topic |
Dosimeters Mos Devices Radiation Effects Solid-State Detectors |
| purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/2.2 https://purl.org/becyt/ford/2 |
| dc.description.none.fl_txt_mv |
We propose the use of a CMOS differential circuit with inherent amplification to enhance the performance of n-channel field oxide MOSFETs as ionizing radiation dosimeters. These new dosimeters are aimed to be used in low dose applications such as X-ray diagnosis. The circuit is presented and described, and a discrete-level prototype was tested as regards sensitivity, temperature variations compensation and signal-to-noise ratio at different operation conditions. Results show that, comparing to a single MOSFET dosimeter, on chip amplification is possible along with temperature induced error attenuation. The highest sensitivity measured with respect to γ radiation was 0.4 V/rad. The circuit successfully measured the dose delivered in an X-ray image diagnosis environment with a sensitivity of approximately 0.5 V/rad. Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Carra, Martin Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería ; Argentina |
| description |
We propose the use of a CMOS differential circuit with inherent amplification to enhance the performance of n-channel field oxide MOSFETs as ionizing radiation dosimeters. These new dosimeters are aimed to be used in low dose applications such as X-ray diagnosis. The circuit is presented and described, and a discrete-level prototype was tested as regards sensitivity, temperature variations compensation and signal-to-noise ratio at different operation conditions. Results show that, comparing to a single MOSFET dosimeter, on chip amplification is possible along with temperature induced error attenuation. The highest sensitivity measured with respect to γ radiation was 0.4 V/rad. The circuit successfully measured the dose delivered in an X-ray image diagnosis environment with a sensitivity of approximately 0.5 V/rad. |
| publishDate |
2014 |
| dc.date.none.fl_str_mv |
2014-12 |
| dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
| format |
article |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/39551 García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 6; 12-2014; 3466-3471 0018-9499 CONICET Digital CONICET |
| url |
http://hdl.handle.net/11336/39551 |
| identifier_str_mv |
García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Carra, Martin Javier; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; CMOS differential and amplified dosimeter with field oxide N-channel MOSFETs; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 61; 6; 12-2014; 3466-3471 0018-9499 CONICET Digital CONICET |
| dc.language.none.fl_str_mv |
eng |
| language |
eng |
| dc.relation.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/TNS.2014.2368361 info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/document/6969124/ |
| dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
| dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf application/pdf |
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| publisher.none.fl_str_mv |
Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
| collection |
CONICET Digital (CONICET) |
| instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
| _version_ |
1847426508310708224 |
| score |
13.10058 |