Evidencia óptica de semiconducción directa en γ´-Bi2MoO6

Autores
Vera, C. M. C.; Aragon, Ricardo
Año de publicación
2006
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
La fase γ´-Bi2MoO6 ha sido alternativamente descripta como un conductor iónico puro o mixto. Medidas de reflectancia difusa en el rango de 200 a 850 nm, a temperatura ambiente, sobre muestras sinterizadas de este compuesto confirman la segunda alternativa. La función de remisión de Kubelka-Munk es consistente con una banda prohibida de 2.9 eV y el coeficiente de absorción se caracteriza por una dependencia cuadrática con la energía referida a este origen, consistente con carácter directo.
γ´-Bi2MoO6 has been alternatively described as a pure ionic or mixed conductor. Room temperature diffuse reflectance measurements, between 200 and 850 nm, on sintered samples, confirm the second alternative. The Kubelka-Munk remission function is consistent with 2.9 eV energy gap and the absorption coeficient depends quadratically on energy referred to this origin, consistently with direct character.
Fil: Vera, C. M. C.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina
Fil: Aragon, Ricardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. Centro de Investigaciones en Sólidos; Argentina
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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