Evidencia óptica de semiconducción directa en γ ́-Bi₂M₀O₆

Autores
Vera, Claudia María Cristina; Aragón, Ricardo
Año de publicación
2005
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
La fase γ ́-Bi₂M₀O₆ ha sido alternativamente descripta como un conductor iónico puro o mixto. Medidas de reflectancia difusa en el rango de 200 a 850 nm, a temperatura ambiente, sobre muestras sinterizadas de este compuesto confirman la segunda alternativa. La función de remisión de Kubelka-Munk es consistente con una banda prohibida de 2.9 eV y el coeficiente de absorción se caracteriza por una dependencia cuadrática con la energía referida a este origen, consistente con carácter directo
γ ́-Bi₂M₀O₆ has been alternatively described as a pure ionic or mixed conductor. Room temperature diffuse reflectance measurements, between 200 and 850 nm, on sintered samples, confirm the second alternative. The Kubelka-Munk remission function is consistent with 2.9 eV energy gap and the absorption coeficient depends quadratically on energy referred to this origin, consistently with direct character
Fil: Vera, Claudia María Cristina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Laboratorio de Películas Delgadas. Buenos Aires. Argentina
Fil: Aragón, Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2005;01(17):170-172
Materia
MOLIBDATO DE BISMUTO
ESPECTROSCOPIA DE REFLECTANCIA DIFUSA
BANDA PROHIBIDA DIRECTA
BISMUTH MOLYBDATE
DIFFUSE REFLECTANCE SPECTROSCOPY
DIRECT BAND GAP
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
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