A compact model for binary oxides-based memristive interfaces

Autores
Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo
Año de publicación
2013
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Materia
Memristive Cells
Au/Tio2 Interface
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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