A compact model for binary oxides-based memristive interfaces

Autores
Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo
Año de publicación
2013
Idioma
inglés
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Materia
Memristive Cells
Au/Tio2 Interface
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/21167
Acceder
id CONICETDig_d28747042f27d0b04106660813a0128b
oai_identifier_str oai:ri.conicet.gov.ar:11336/21167
network_acronym_str CONICETDig
repository_id_str 3498
network_name_str CONICET Digital (CONICET)
spelling A compact model for binary oxides-based memristive interfacesGhenzi, NéstorSánchez, María JoséLevy, Pablo EduardoMemristive CellsAu/Tio2 Interfacehttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); ArgentinaFil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaIOP Publishing2013-10info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/21167Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo; A compact model for binary oxides-based memristive interfaces; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 46; 41; 10-2013; 415101-4151010022-3727CONICET DigitalCONICETenginfo:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/46/41/415101info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1088/0022-3727/46/41/415101info:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:51:17Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/21167instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:51:17.718CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse
dc.title.none.fl_str_mv A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
title A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
spellingShingle A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
Ghenzi, Néstor
Memristive Cells
Au/Tio2 Interface
title_short A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
title_full A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
title_fullStr A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
title_full_unstemmed A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
title_sort A compact model for binary oxides-based memristive interfaces
dc.creator.none.fl_str_mv Ghenzi, Néstor
Sánchez, María José
Levy, Pablo Eduardo
author Ghenzi, Néstor
author_facet Ghenzi, Néstor
Sánchez, María José
Levy, Pablo Eduardo
author_role author
author2 Sánchez, María José
Levy, Pablo Eduardo
author2_role author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Memristive Cells
Au/Tio2 Interface
topic Memristive Cells
Au/Tio2 Interface
purl_subject.fl_str_mv https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
dc.description.none.fl_txt_mv We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.
Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
description We report the resistive switching (RS) characteristics of Al/TiO2/Au memristive cells fabricated in a crossbar array. The measured R–V curves suggest that RS takes place essentially at the Au/TiO2 interface. We propose a model based on the electric field enhanced migration of oxygen vacancies at that interface which reproduces the main features of the experimental data, namely the remnant resistance states and the degradation process. Obtained vacancy profiles at the active region of the junction give insight for the design of improved devices.
publishDate 2013
dc.date.none.fl_str_mv 2013-10
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv http://hdl.handle.net/11336/21167
Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo; A compact model for binary oxides-based memristive interfaces; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 46; 41; 10-2013; 415101-415101
0022-3727
CONICET Digital
CONICET
url http://hdl.handle.net/11336/21167
identifier_str_mv Ghenzi, Néstor; Sánchez, María José; Levy, Pablo Eduardo; A compact model for binary oxides-based memristive interfaces; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 46; 41; 10-2013; 415101-415101
0022-3727
CONICET Digital
CONICET
dc.language.none.fl_str_mv eng
language eng
dc.relation.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/46/41/415101
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1088/0022-3727/46/41/415101
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv IOP Publishing
publisher.none.fl_str_mv IOP Publishing
dc.source.none.fl_str_mv reponame:CONICET Digital (CONICET)
instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
reponame_str CONICET Digital (CONICET)
collection CONICET Digital (CONICET)
instname_str Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.name.fl_str_mv CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
repository.mail.fl_str_mv dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar
_version_ 1844613577714958336
score 13.070432

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