Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman
- Autores
- Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro
- Año de publicación
- 2009
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.
In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.
Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; Colombia
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina - Materia
-
Semiconductores
Raman
Películas Delgadas
Silicio Microcristalino - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
- Repositorio
- Institución
- Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
- OAI Identificador
- oai:ri.conicet.gov.ar:11336/17105
Ver los metadatos del registro completo
id |
CONICETDig_2d0650a28ea6d0d7bb22c7624ac1103e |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:ri.conicet.gov.ar:11336/17105 |
network_acronym_str |
CONICETDig |
repository_id_str |
3498 |
network_name_str |
CONICET Digital (CONICET) |
spelling |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia RamanDussan, A.Schmidt, Javier AlejandroSemiconductoresRamanPelículas DelgadasSilicio Microcristalinohttps://purl.org/becyt/ford/1.3https://purl.org/becyt/ford/1En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; ColombiaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; ArgentinaSociedad Colombiana de Física2009-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11336/17105Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro; Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 41; 1; 1-2009; 82-840120-2650spainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/reponame:CONICET Digital (CONICET)instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas2025-09-29T09:32:43Zoai:ri.conicet.gov.ar:11336/17105instacron:CONICETInstitucionalhttp://ri.conicet.gov.ar/Organismo científico-tecnológicoNo correspondehttp://ri.conicet.gov.ar/oai/requestdasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:34982025-09-29 09:32:44.018CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicasfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
title |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
spellingShingle |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman Dussan, A. Semiconductores Raman Películas Delgadas Silicio Microcristalino |
title_short |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
title_full |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
title_fullStr |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
title_full_unstemmed |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
title_sort |
Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Dussan, A. Schmidt, Javier Alejandro |
author |
Dussan, A. |
author_facet |
Dussan, A. Schmidt, Javier Alejandro |
author_role |
author |
author2 |
Schmidt, Javier Alejandro |
author2_role |
author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
Semiconductores Raman Películas Delgadas Silicio Microcristalino |
topic |
Semiconductores Raman Películas Delgadas Silicio Microcristalino |
purl_subject.fl_str_mv |
https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
dc.description.none.fl_txt_mv |
En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material. In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material. Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; Colombia Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina |
description |
En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material. |
publishDate |
2009 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2009-01 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11336/17105 Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro; Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 41; 1; 1-2009; 82-84 0120-2650 |
url |
http://hdl.handle.net/11336/17105 |
identifier_str_mv |
Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro; Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 41; 1; 1-2009; 82-84 0120-2650 |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/ |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Sociedad Colombiana de Física |
publisher.none.fl_str_mv |
Sociedad Colombiana de Física |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:CONICET Digital (CONICET) instname:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
reponame_str |
CONICET Digital (CONICET) |
collection |
CONICET Digital (CONICET) |
instname_str |
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.name.fl_str_mv |
CONICET Digital (CONICET) - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
repository.mail.fl_str_mv |
dasensio@conicet.gov.ar; lcarlino@conicet.gov.ar |
_version_ |
1844613000182366208 |
score |
13.070432 |