Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman

Autores
Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro
Año de publicación
2009
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.
In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.
Fil: Dussan, A.. Universidad Nacional de Colombia; Colombia
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Materia
Semiconductores
Raman
Películas Delgadas
Silicio Microcristalino
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
OAI Identificador
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In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.
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