Variaciones en la conductividad en muestras compensadas de mc-Si:H por efectos de recocido

Autores
Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio
Año de publicación
2004
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se presenta un estudio de los cambios producidos por recocidos isotérmicos en muestras micro-dopadas de silicio microcristalino (µc-Si:H) con diferentes grados de compensación. Las muestras fueron preparadas por deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD) utilizando diborano (B2H6) en fase de gas como dopante. La temperatura de recocido fue de 150°C, más baja que la temperatura de deposición (160°C). Se realizaron mediciones de conductividad a oscuras (σdk) y densidad de estados (DOS) para explorar los efectos de recocido sobre las muestras. Las muestras resultan compensadas para concentraciones entre 50 y 75ppm. Para las muestras con concentraciones menores de boro se observó un suave incremento en la energía de activación (Ea) acompañado de una disminución en la σdk con el aumento del tiempo de recocido acumulado; mientras que en las muestras con concentraciones mayores el efecto es inverso. Se encontró que el cambio en la σdk es más pronunciado en muestras que tienen más altas concentraciones de boro. No se observan cambios debido al recocido en muestras no dopadas. Las modificaciones en la DOS fueron inferidas a partir de mediciones de MPC (fotoconductividad modulada) y CPM (fotocorriente constante). Se propone un modelo que explica las variaciones en σdk basado en la activación de dopantes asistida térmicamente.
Fil: Dussan Cuenca, Anderson. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Arce, Roberto Delio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
Materia
Pelicula Delgada
Silicio Microcristalino
Dopantes
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
Repositorio
CONICET Digital (CONICET)
Institución
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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