Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V

Autores
Sferco, Silvano Juan; Lannoo, Michel; Elhaidouri, A.
Año de publicación
1989
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores experimentales de ε ͚ medidos para estos sistemas. Se analizan los posibles efectos no incluídos en el modelo molecular (campo local, por ejemplo) responsables del mal acuerdo de este modelo con los resultados experimentales
Fil: Sferco, Silvano Juan. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina
Fil: Lannoo, Michel. Institute of Electronics, Microelectronics, and Nanotechnology (IEMN) ISEN. Lille Cedex. Francia
Fil: Elhaidouri, A.. Laboratoire de Physicochimie des Matériaux. Montpellier. Francia
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):302-304
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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