Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo

Autores
Albanesi, Eduardo Aldo; Repetto, Germán H.; Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo; Dominguez, Fabián
Año de publicación
2002
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este material
We have performed a calculation of the electronic structure within the density functional formalism, of the semiconductor PbS. From it, the dependence in frecuency of the dielectric functions in the range between 0 and 5 eV, is calculated. The peaks, as well as the general shape of the curves corresponding to the real part ɛ₁ and imaginary part ɛ₂, are very well described and understandable in terms of the calculated bands and density of states. The dispersive spectrum has its point of inflexion in reazonably agreement with the energy where the absorption is maximum, and starts decreasing in a metalic like behavior, for energies higher than 3 eV. Also we present results on the reflectivity of this material
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Repetto, Germán H.. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina. Santa Fe. Argentina
Fil: Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina
Fil: Dominguez, Fabián. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):119-122
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v14_n01_p119
Acceder
id BDUBAFCEN_ec9ba095ac495bd03cbf21ec03be65b7
oai_identifier_str afa:afa_v14_n01_p119
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomoAlbanesi, Eduardo AldoRepetto, Germán H.Peltzer y Blancá, Eitel LeopoldoDominguez, FabiánHemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este materialWe have performed a calculation of the electronic structure within the density functional formalism, of the semiconductor PbS. From it, the dependence in frecuency of the dielectric functions in the range between 0 and 5 eV, is calculated. The peaks, as well as the general shape of the curves corresponding to the real part ɛ₁ and imaginary part ɛ₂, are very well described and understandable in terms of the calculated bands and density of states. The dispersive spectrum has its point of inflexion in reazonably agreement with the energy where the absorption is maximum, and starts decreasing in a metalic like behavior, for energies higher than 3 eV. Also we present results on the reflectivity of this materialFil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Repetto, Germán H.. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina. Santa Fe. ArgentinaFil: Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires ArgentinaFil: Dominguez, Fabián. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires ArgentinaAsociación Física Argentina2002info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):119-122reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-23T11:15:42Zafa:afa_v14_n01_p119Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-23 11:15:43.721Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
spellingShingle Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
Albanesi, Eduardo Aldo
title_short Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_full Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_fullStr Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_full_unstemmed Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
title_sort Estudio de las funciones dieléctricas del semiconductor sulfuro de plomo
dc.creator.none.fl_str_mv Albanesi, Eduardo Aldo
Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
author Albanesi, Eduardo Aldo
author_facet Albanesi, Eduardo Aldo
Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
author_role author
author2 Repetto, Germán H.
Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Dominguez, Fabián
author2_role author
author
author
dc.description.none.fl_txt_mv Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este material
We have performed a calculation of the electronic structure within the density functional formalism, of the semiconductor PbS. From it, the dependence in frecuency of the dielectric functions in the range between 0 and 5 eV, is calculated. The peaks, as well as the general shape of the curves corresponding to the real part ɛ₁ and imaginary part ɛ₂, are very well described and understandable in terms of the calculated bands and density of states. The dispersive spectrum has its point of inflexion in reazonably agreement with the energy where the absorption is maximum, and starts decreasing in a metalic like behavior, for energies higher than 3 eV. Also we present results on the reflectivity of this material
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Repetto, Germán H.. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina. Santa Fe. Argentina
Fil: Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina
Fil: Dominguez, Fabián. Universidad Nacional de La Plata - CONICET. Instituto de Física de Líquidos y Sistemas Biológicos (IFLYSIB). Buenos Aires Argentina
description Hemos calculado la estructura electrónica con la formulación de la funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variación en frecuencia de las funciones dieléctricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, así como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real ɛ₁ εe imaginaria ɛ₂, resultan muy bien caracterizados y entendidos en base a los diagramas de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexión en razonable acuerdo con la energía a la cual la absorción alcanza su máximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metálico en el rango de las energías mayores a 3 eV. También presentamos resultados de la reflectividad de este material
publishDate 2002
dc.date.none.fl_str_mv 2002
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p119
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):119-122
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846784824456511488
score 12.982451

Publicaciones similares