Intercalación de litio en un semiconductor III-V

Autores
Herren, Gustavo Guillermo; Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth
Año de publicación
1989
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusión de litio en InSb a temperatura ambiente D₂₉₈ĸ = 1,09 x 10ˉ⁸ cm² sˉ¹ de acuerdo con valores de literatura hallados por otros métodos. Se discute un probable mecanismo de intercalación y se demuestra la reversibilidad del proceso
Fil: Herren, Gustavo Guillermo. Fundación Bunge y Born. CABA. Argentina
Fil: Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1989;01(01):249-251
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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