Determinación de las funciones dieléctricas del semiconductor PbI₂

• Autores: Naudi, Andrés Alberto; Albanesi, Eduardo Aldo
• Año de publicación: 2004
• Idioma: español castellano
• Tipo de recurso: artículo
• Fuente: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2004;01(16):189-193
• Institución: Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

Presentamos un estudio de la estructura electrónica y de las funciones dieléctricas del semiconductor ioduro de plomo, basado en cálculos realizados con el método Full Potential Linearized Augmented Plane Waves (FP-LAPW),dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT), utilizando para el potencial de intercambio y correlación la aproximación del gradiente generalizado (GGA). Los resultados de la estructura electrónica indican un band gap directo en el borde de la zona de Brillouin correspondiente al eje mayor del cristal hexagonal de este semiconductor. En el entorno de este punto tanto la banda de valencia superior como la banda de conducción inferior tienen un comportamiento parabólico, resultando el tope de la banda de valencia un estado principalmente s-Pb con cierta hibridación p-I. A partir de la estructura de bandas obtenida se encuentran funciones dieléctricas con cierta anisotropía, característica típica de los cristales uniaxiales. Nuestros resultados se muestran satisfactorios al ser comparados con los experimentos existentes, y con los calculados por otros métodos
We present a study of the electronic structure and the dielectric functions of the lead iodide semiconductor, based on calculations performed with the Full-Potential Linearized Augmented Plane Waves (FP-LAPW) method, within the framework of the density functional theory (DFT) and using the generalized gradient approximation (GGA) for the correlation-exchange potential. Our results for the electronic structure show a direct band gap located at the edge ofthe Brillouin zone, corresponding to the larger axis of the hexagonal crystal of this semiconductor. In the vicinity ofthis point, both, the valence band maximum and the conduction band minimum, show a parabolic behavior, resultingthe valence band top mainly an s-Pb state with some p-I hybridization. From this band structure we calculate the dielectric functions, which in our calculations present some anisotropy characteristic of the uniaxial crystals. Our results can be satisfactory compared to experimental results and to those obtained by other theoretical methods
Fil: Naudi, Andrés Alberto. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional de Entre Ríos. Facultad de Ingeniería (UNER-FI). Entre Ríos. Argentina