Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios
- Autores
- Ruano Sandoval, Gustavo Daniel; Ferrón, Julio; Koropecki, Roberto Román
- Año de publicación
- 2008
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- En este trabajo se presentan resultados de espectroscopía de emisión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica. Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructura
Electron induced secondary electron emission spectroscopy results for nanostructured silicon samples are presented. When the material is appropriately prepared, the ionic bombardment modifies the electron emission spectra in a reversible way. We study the time response of the modifications, for freshly prepared samples as well as for samples oxidized during different times. Results for both n and p-type partially oxidized nanostructured porous silicon samples are presented. The modification is completely reversible for n-type based nanoporous silicon oxidized during a long enough time. The results can be understood in terms of a model which takes into account on one side the dipole formation due to the electron and ion kinetic energy loss behavior, and the electron bombardment effect on pores surface chemical composition on the other side
Fil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):104-109
- Materia
-
SILICIO POROSO
EMISION ELECTRONICA
NANOESTRUCTURA
POROUS SILICON
ELECTRONIC EMISSION
NANOSTRUCTURE - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
- Repositorio
- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
- afa:afa_v20_n01_p104
Ver los metadatos del registro completo
id |
BDUBAFCEN_d529ee270823bad732784ff5e3df35d3 |
---|---|
oai_identifier_str |
afa:afa_v20_n01_p104 |
network_acronym_str |
BDUBAFCEN |
repository_id_str |
1896 |
network_name_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
spelling |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundariosOxidation effect over secondary electron emission of nanoporous siliconRuano Sandoval, Gustavo DanielFerrón, JulioKoropecki, Roberto RománSILICIO POROSOEMISION ELECTRONICANANOESTRUCTURAPOROUS SILICONELECTRONIC EMISSIONNANOSTRUCTUREEn este trabajo se presentan resultados de espectroscopía de emisión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica. Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructuraElectron induced secondary electron emission spectroscopy results for nanostructured silicon samples are presented. When the material is appropriately prepared, the ionic bombardment modifies the electron emission spectra in a reversible way. We study the time response of the modifications, for freshly prepared samples as well as for samples oxidized during different times. Results for both n and p-type partially oxidized nanostructured porous silicon samples are presented. The modification is completely reversible for n-type based nanoporous silicon oxidized during a long enough time. The results can be understood in terms of a model which takes into account on one side the dipole formation due to the electron and ion kinetic energy loss behavior, and the electron bombardment effect on pores surface chemical composition on the other sideFil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2008info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p104An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):104-109reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-29T13:40:24Zafa:afa_v20_n01_p104Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-29 13:40:25.102Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios Oxidation effect over secondary electron emission of nanoporous silicon |
title |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
spellingShingle |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios Ruano Sandoval, Gustavo Daniel SILICIO POROSO EMISION ELECTRONICA NANOESTRUCTURA POROUS SILICON ELECTRONIC EMISSION NANOSTRUCTURE |
title_short |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
title_full |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
title_fullStr |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
title_full_unstemmed |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
title_sort |
Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Ruano Sandoval, Gustavo Daniel Ferrón, Julio Koropecki, Roberto Román |
author |
Ruano Sandoval, Gustavo Daniel |
author_facet |
Ruano Sandoval, Gustavo Daniel Ferrón, Julio Koropecki, Roberto Román |
author_role |
author |
author2 |
Ferrón, Julio Koropecki, Roberto Román |
author2_role |
author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
SILICIO POROSO EMISION ELECTRONICA NANOESTRUCTURA POROUS SILICON ELECTRONIC EMISSION NANOSTRUCTURE |
topic |
SILICIO POROSO EMISION ELECTRONICA NANOESTRUCTURA POROUS SILICON ELECTRONIC EMISSION NANOSTRUCTURE |
dc.description.none.fl_txt_mv |
En este trabajo se presentan resultados de espectroscopía de emisión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica. Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructura Electron induced secondary electron emission spectroscopy results for nanostructured silicon samples are presented. When the material is appropriately prepared, the ionic bombardment modifies the electron emission spectra in a reversible way. We study the time response of the modifications, for freshly prepared samples as well as for samples oxidized during different times. Results for both n and p-type partially oxidized nanostructured porous silicon samples are presented. The modification is completely reversible for n-type based nanoporous silicon oxidized during a long enough time. The results can be understood in terms of a model which takes into account on one side the dipole formation due to the electron and ion kinetic energy loss behavior, and the electron bombardment effect on pores surface chemical composition on the other side Fil: Ruano Sandoval, Gustavo Daniel. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Ferrón, Julio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina |
description |
En este trabajo se presentan resultados de espectroscopía de emisión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica. Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructura |
publishDate |
2008 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2008 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p104 |
url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p104 |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
dc.source.none.fl_str_mv |
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):104-109 reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN) instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales instacron:UBA-FCEN |
reponame_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
collection |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
instname_str |
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
instacron_str |
UBA-FCEN |
institution |
UBA-FCEN |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
repository.mail.fl_str_mv |
ana@bl.fcen.uba.ar |
_version_ |
1844618683703361536 |
score |
13.070432 |