Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado
- Autores
- Marín Ramírez, Oscar Alonso; Comedi, David Mario; Koropecki, Roberto Román
- Año de publicación
- 2010
- Idioma
- español castellano
- Tipo de recurso
- artículo
- Estado
- versión publicada
- Descripción
- En este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia temporal de la corriente con voltajes de polarización entre 0.1 y 1.5 V. Se analiza el incremento de la corriente cuando se aplica el voltaje y la relajación en condiciones de corto circuito en función del tiempo. A partir de las curvas de corriente vs. tiempo (It) medidas, se obtienen curvas corriente vs. voltaje (IV). Las curvas I-V sugieren un comportamiento tipo Schottky y permiten desestimar un mecanismo Poole-Frenkel. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensión hasta un tiempo t1(V), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1(V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminución de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente muestra un decaimiento abrupto, con cambio de signo para después subir al valor base. Los experimentos de TSDC mostraron una inversion de la corriente
We present preliminary results on the effect of contacts on electrical properties of nanostructured porous silicon supported on glass. TSDC measurements were performed in the 270 - 365 K temperature range. The time dependence of the current for applied bias within the 0.1-1.5V range was also studied. The current increase after the voltage is applied and its relaxation in short circuit conditions are analized. The current-voltage curves (IV) suggest a Schottky behavior, the Poole-Frenkel mechanism being ruled out. When V < 0.4 V is applied, the current increases up till a time t1(V), following an exponential law. For t > t1(V) the current decreases following a power law before saturating. For V > 0.4 V the decrease of current is not further observed. When the applied voltage is removed (short-circuit condition), the current decreases abruptly, changes sign and then increases again towards its stationary value. TSDC experiments show a current sign inversion.
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología (UNT-FACET). Tucumán. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina - Fuente
- An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):42-45
- Materia
-
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
CONTACTOS ELECTRICOS
HETEROCARGA
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
ELECTRIC CONTACTS
HETEROCHARGE - Nivel de accesibilidad
- acceso abierto
- Condiciones de uso
- https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
- Repositorio
- Institución
- Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
- OAI Identificador
- afa:afa_v22_n02_p042
Ver los metadatos del registro completo
id |
BDUBAFCEN_ad36f74bea71624fb0282cd759aa32d3 |
---|---|
oai_identifier_str |
afa:afa_v22_n02_p042 |
network_acronym_str |
BDUBAFCEN |
repository_id_str |
1896 |
network_name_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
spelling |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructuradoEffect of contacts on electrical properties of nanostructured porous siliconMarín Ramírez, Oscar AlonsoComedi, David MarioKoropecki, Roberto RománSILICIO POROSO NANOESTRUCTURADOCONTACTOS ELECTRICOSHETEROCARGANANOSTRUCTURED POROUS SILICONELECTRIC CONTACTSHETEROCHARGEEn este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia temporal de la corriente con voltajes de polarización entre 0.1 y 1.5 V. Se analiza el incremento de la corriente cuando se aplica el voltaje y la relajación en condiciones de corto circuito en función del tiempo. A partir de las curvas de corriente vs. tiempo (It) medidas, se obtienen curvas corriente vs. voltaje (IV). Las curvas I-V sugieren un comportamiento tipo Schottky y permiten desestimar un mecanismo Poole-Frenkel. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensión hasta un tiempo t1(V), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1(V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminución de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente muestra un decaimiento abrupto, con cambio de signo para después subir al valor base. Los experimentos de TSDC mostraron una inversion de la corrienteWe present preliminary results on the effect of contacts on electrical properties of nanostructured porous silicon supported on glass. TSDC measurements were performed in the 270 - 365 K temperature range. The time dependence of the current for applied bias within the 0.1-1.5V range was also studied. The current increase after the voltage is applied and its relaxation in short circuit conditions are analized. The current-voltage curves (IV) suggest a Schottky behavior, the Poole-Frenkel mechanism being ruled out. When V < 0.4 V is applied, the current increases up till a time t1(V), following an exponential law. For t > t1(V) the current decreases following a power law before saturating. For V > 0.4 V the decrease of current is not further observed. When the applied voltage is removed (short-circuit condition), the current decreases abruptly, changes sign and then increases again towards its stationary value. TSDC experiments show a current sign inversion.Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología (UNT-FACET). Tucumán. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2010info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p042An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):42-45reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-09-04T09:43:40Zafa:afa_v22_n02_p042Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-09-04 09:43:41.234Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse |
dc.title.none.fl_str_mv |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado Effect of contacts on electrical properties of nanostructured porous silicon |
title |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
spellingShingle |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado Marín Ramírez, Oscar Alonso SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO CONTACTOS ELECTRICOS HETEROCARGA NANOSTRUCTURED POROUS SILICON ELECTRIC CONTACTS HETEROCHARGE |
title_short |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
title_full |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
title_fullStr |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
title_full_unstemmed |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
title_sort |
Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado |
dc.creator.none.fl_str_mv |
Marín Ramírez, Oscar Alonso Comedi, David Mario Koropecki, Roberto Román |
author |
Marín Ramírez, Oscar Alonso |
author_facet |
Marín Ramírez, Oscar Alonso Comedi, David Mario Koropecki, Roberto Román |
author_role |
author |
author2 |
Comedi, David Mario Koropecki, Roberto Román |
author2_role |
author author |
dc.subject.none.fl_str_mv |
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO CONTACTOS ELECTRICOS HETEROCARGA NANOSTRUCTURED POROUS SILICON ELECTRIC CONTACTS HETEROCHARGE |
topic |
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO CONTACTOS ELECTRICOS HETEROCARGA NANOSTRUCTURED POROUS SILICON ELECTRIC CONTACTS HETEROCHARGE |
dc.description.none.fl_txt_mv |
En este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia temporal de la corriente con voltajes de polarización entre 0.1 y 1.5 V. Se analiza el incremento de la corriente cuando se aplica el voltaje y la relajación en condiciones de corto circuito en función del tiempo. A partir de las curvas de corriente vs. tiempo (It) medidas, se obtienen curvas corriente vs. voltaje (IV). Las curvas I-V sugieren un comportamiento tipo Schottky y permiten desestimar un mecanismo Poole-Frenkel. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensión hasta un tiempo t1(V), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1(V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminución de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente muestra un decaimiento abrupto, con cambio de signo para después subir al valor base. Los experimentos de TSDC mostraron una inversion de la corriente We present preliminary results on the effect of contacts on electrical properties of nanostructured porous silicon supported on glass. TSDC measurements were performed in the 270 - 365 K temperature range. The time dependence of the current for applied bias within the 0.1-1.5V range was also studied. The current increase after the voltage is applied and its relaxation in short circuit conditions are analized. The current-voltage curves (IV) suggest a Schottky behavior, the Poole-Frenkel mechanism being ruled out. When V < 0.4 V is applied, the current increases up till a time t1(V), following an exponential law. For t > t1(V) the current decreases following a power law before saturating. For V > 0.4 V the decrease of current is not further observed. When the applied voltage is removed (short-circuit condition), the current decreases abruptly, changes sign and then increases again towards its stationary value. TSDC experiments show a current sign inversion. Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología (UNT-FACET). Tucumán. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina |
description |
En este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia temporal de la corriente con voltajes de polarización entre 0.1 y 1.5 V. Se analiza el incremento de la corriente cuando se aplica el voltaje y la relajación en condiciones de corto circuito en función del tiempo. A partir de las curvas de corriente vs. tiempo (It) medidas, se obtienen curvas corriente vs. voltaje (IV). Las curvas I-V sugieren un comportamiento tipo Schottky y permiten desestimar un mecanismo Poole-Frenkel. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensión hasta un tiempo t1(V), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1(V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminución de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente muestra un decaimiento abrupto, con cambio de signo para después subir al valor base. Los experimentos de TSDC mostraron una inversion de la corriente |
publishDate |
2010 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2010 |
dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 info:ar-repo/semantics/articulo |
format |
article |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.none.fl_str_mv |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p042 |
url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p042 |
dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
language |
spa |
dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
rights_invalid_str_mv |
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
publisher.none.fl_str_mv |
Asociación Física Argentina |
dc.source.none.fl_str_mv |
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):42-45 reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN) instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales instacron:UBA-FCEN |
reponame_str |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
collection |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) |
instname_str |
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
instacron_str |
UBA-FCEN |
institution |
UBA-FCEN |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
repository.mail.fl_str_mv |
ana@bl.fcen.uba.ar |
_version_ |
1842340655884402688 |
score |
12.623145 |