Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado

Autores
Urteaga, Raúl; Marín Ramírez, Oscar Alonso; Acquaroli, Leandro Nicolás; Comedi, David Mario; Schmidt, Javier Alejandro; Koropecki, Roberto Román
Año de publicación
2008
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
artículo
Estado
versión publicada
Descripción
Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad
We used light confinement in optical microcavities to achieve a strong enhancement and a precise wavelength tunability of the electrical photoconductance of nanostructured porous silicon (PS). The devices were transferred to a glass coated with a transparent SnO₂ electrode, while an Al contact was evaporated on its back side. The electrical conductance was measured as a function of the photon energy. A strong enhancement of the conductance is obtained in a narrow band peaking at the resonance. We present experimental results of the angular dependence of this photoconductance peak energy, and propose an explanation of the conductivity behaviour supported by calculations of the internal electromagnetic field
Fil: Urteaga, Raúl. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física (UNT-FACET). Tucumán. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fuente
An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):110-114
Materia
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
Repositorio
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Institución
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
OAI Identificador
afa:afa_v20_n01_p110
Acceder
id BDUBAFCEN_f42bb5d325286e225fa4812c672a1b52
oai_identifier_str afa:afa_v20_n01_p110
network_acronym_str BDUBAFCEN
repository_id_str 1896
network_name_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
spelling Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructuradoEnhanced photoconductivity and fine response tuning in nanostructured porous silicon microcavitiesUrteaga, RaúlMarín Ramírez, Oscar AlonsoAcquaroli, Leandro NicolásComedi, David MarioSchmidt, Javier AlejandroKoropecki, Roberto RománSILICIO POROSO NANOESTRUCTURADOMICROCAVIDADES OPTICASFOTOCONDUCTIVIDADNANOSTRUCTURED POROUS SILICONOPTICAL MICROCAVITIESPHOTOCONDUCTIVITYPor medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidadWe used light confinement in optical microcavities to achieve a strong enhancement and a precise wavelength tunability of the electrical photoconductance of nanostructured porous silicon (PS). The devices were transferred to a glass coated with a transparent SnO₂ electrode, while an Al contact was evaporated on its back side. The electrical conductance was measured as a function of the photon energy. A strong enhancement of the conductance is obtained in a narrow band peaking at the resonance. We present experimental results of the angular dependence of this photoconductance peak energy, and propose an explanation of the conductivity behaviour supported by calculations of the internal electromagnetic fieldFil: Urteaga, Raúl. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física (UNT-FACET). Tucumán. ArgentinaFil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaFil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. ArgentinaAsociación Física Argentina2008info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501info:ar-repo/semantics/articuloapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):110-114reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesinstacron:UBA-FCENspainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar2025-10-23T11:15:56Zafa:afa_v20_n01_p110Institucionalhttps://digital.bl.fcen.uba.ar/Universidad públicaNo correspondehttps://digital.bl.fcen.uba.ar/cgi-bin/oaiserver.cgiana@bl.fcen.uba.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:18962025-10-23 11:15:57.265Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturalesfalse
dc.title.none.fl_str_mv Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
Enhanced photoconductivity and fine response tuning in nanostructured porous silicon microcavities
title Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
spellingShingle Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
Urteaga, Raúl
SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
title_short Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_full Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_fullStr Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_full_unstemmed Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
title_sort Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado
dc.creator.none.fl_str_mv Urteaga, Raúl
Marín Ramírez, Oscar Alonso
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
author Urteaga, Raúl
author_facet Urteaga, Raúl
Marín Ramírez, Oscar Alonso
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
author_role author
author2 Marín Ramírez, Oscar Alonso
Acquaroli, Leandro Nicolás
Comedi, David Mario
Schmidt, Javier Alejandro
Koropecki, Roberto Román
author2_role author
author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
topic SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO
MICROCAVIDADES OPTICAS
FOTOCONDUCTIVIDAD
NANOSTRUCTURED POROUS SILICON
OPTICAL MICROCAVITIES
PHOTOCONDUCTIVITY
dc.description.none.fl_txt_mv Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad
We used light confinement in optical microcavities to achieve a strong enhancement and a precise wavelength tunability of the electrical photoconductance of nanostructured porous silicon (PS). The devices were transferred to a glass coated with a transparent SnO₂ electrode, while an Al contact was evaporated on its back side. The electrical conductance was measured as a function of the photon energy. A strong enhancement of the conductance is obtained in a narrow band peaking at the resonance. We present experimental results of the angular dependence of this photoconductance peak energy, and propose an explanation of the conductivity behaviour supported by calculations of the internal electromagnetic field
Fil: Urteaga, Raúl. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Comedi, David Mario. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física (UNT-FACET). Tucumán. Argentina
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina
description Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad
publishDate 2008
dc.date.none.fl_str_mv 2008
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
info:ar-repo/semantics/articulo
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
publisher.none.fl_str_mv Asociación Física Argentina
dc.source.none.fl_str_mv An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2008;01(20):110-114
reponame:Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname:Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron:UBA-FCEN
reponame_str Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
collection Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
instname_str Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
instacron_str UBA-FCEN
institution UBA-FCEN
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital (UBA-FCEN) - Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
repository.mail.fl_str_mv ana@bl.fcen.uba.ar
_version_ 1846784831733628928
score 12.982451

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